забезпечити зміну рівня вихідного сигналу в межах 5 дБ, при зміні вхідного сигналу на 65 дБ. Для цього знайдемо рівень вхідного сигналу ППЧ. br/>В
за графіком рис. 7 визначаємо коефіцієнт ослаблення паразитної амплітудної модуляції До осам = 72дБ, а глибина модуляції повинна бути рівною Г = DB = 65-5 = 60дБ, де D-динамічний діапазон зміни сигналу на вході, а B - динамічний діапазон зміни сигналу на виході. Так як К осам > Г значить обмежувач забезпечує ослаблення паразитної амплітудної модуляції з достатнім запасом, автоматичне регулювання рівня сигналу застосовувати немає необхідності.
В
Малюнок 8. Залежність коефіцієнта ослаблення паразитної амплітудної модуляції від рівня вхідного сигналу мікросхеми К174ХА6 .
Схема включення ІМСК174ХА6 наведена на рис. 7
В
Малюнок 9. Схема включення ІМС К174ХА6
В
9. Вимоги пред'являються до УНЧ
Підсилювач низької частоти одноканальний з вихідним опором 8 Ом, повинен забезпечувати на виході не менше 10Вт при навантаженні 8 Ом, харчування 8-12 В двухполярной. Коефіцієнт підсилення не менше
, де
В
10. Вимоги пред'являються до схеми живлення приймального пристрою
Блок живлення приймального пристрою повинен працювати від мережі змінної напруги 220В частоти 50Гц і забезпечувати на виході постійне двухполярной напруга 9В В± 5%.
11. Структурна схема спроектованого приймального пристрої
Структурна схема приймача з зазначенням всіх параметрів складових її ланок наведена на рис. 9
В
Малюнок 10. Структурна схема приймача.
Програми
В
Додаток 1. ІМС К174ХА15
Мікросхема представляє собою багатофункціональну схему, призначену для УКХ блоків (апаратів будь-якої категорії складності до вищої). Досягнення високих параметрів УКХ прийому пов'язано з тим що ІМС містить симетричний змішувач-перемножітель U1 з глибокою зворотним зв'язком, великим вхідним опором і значним посиленням, балансовий гетеродин G1, буферний каскад A3, Охороняє гетеродин від вхідних сигналів, підсилювач АРУ A2, підвищуючий стійкість блоку УКХ до утворення паразитних каналів прийому, і високоякісний стабілізатор напруги A4, забезпечує, зокрема стабільність частоти гетеродина при коливаннях живлячої напруги. Крім того, до складу ІМС входить підсилювач високої частоти A1 і фільтр низької частоти Z1.
У ІМС передбачений також каскад на транзисторі VT13 внутрішньої АРУ дя запобігання перевантаження при сильних сигналу і стабілізатор напруги на транзисторі VT1 і діодах VD1. VD5. br/>В
Принципова схема ІМС К174ХА15
В
Структурна схема ІМС К174ХА15
Електричні параметри ІМС К174ХА15
Струм споживання I піт , мА не більше. 30
Коефіцієнт посилення по напрузі До у U , дБ при U вх = 1мВ f = 69МГц, не менше. 22
Коефіцієнт шуму До ш , дБ не більше. 10
Граничні експлуатаційні параметри ІМС К174ХА15
Напруга живлення U і. п , В:
мінімальне. 8. 1
максимальне. 15. 6
Струм на виводі 7 I 7 , мА НЕ более5
Частота вхідного сигналу f вх , МГц не більше. 108
Опір навантаження R н , Ом НЕ менее50
Додаток 2. ІМС К174ХА6
Мікросхема представляє собою багатофункціональну схему, призначену для посилення обмеження і детектування ЧМ сигналів проміжної частоти3, безшумної настройки приймачів на станцію, що, формування керуючих напруг для індикатора напруженості поля в антені і АПЧ. Випускається в корпусі типу 238. 18-3. (DIP - 18). p> Призначення висновків: 1 - корпус; 2 - відключення АПЧ, 3 - фільтр; 4,6 - фільтри НЧ; 5 - вихід АПЧ; 7 - вихід НЧ; 8,11 - виходи ПЧ; 9,10 - фазосдвігающій контур; 12 - харчування (+ U ип ); 13 - вхід БШН; 14-вихід на індикатор; 15 - вихід БШН, 16,17 - блокування, 18 - вхід ПЧ.
Електричні параметри ІМС К174ХА6 при 25 В± 10 В° С і U ип = 12 В
Струм споживання I піт , мА, не більше ____________________________ 16
Вхідна напруга обмеження U вх. огр мкв , при fвх = 10,7 МГц є более________60
Вихідна напруга низької частоти
U вихНЧ мВ при U вх = 10мВ f вх = 10,7 МГц , О”f = В± 50 кГц, f мод = 1кГц . НЕ менее________160
Коефіцієнт ослаблення амплітудної модуляції
K АМ дБ, при U вх = 10 мВ, f ВХ = Ю, 7мГц, О” f = В± 50 кГц, ...
