struments), Motorola, Tokyo Cousin (З 1958 р. Sony), NEC і багато інших. p> У 1950 р. фірма GSI розробила перший кремнієвий транзистор, а з 1954 р., перетворивши в Texas Instruments, початку його серійне виробництво.
4. В«ХОЛОДНА ВІЙНАВ» ТА ЇЇ ВПЛИВ НА Електроніка
Після закінчення Другої світової війни світ розколовся на два ворожі табори. У 1950-1953 рр.. ця конфронтація вилилася в пряме військове зіткнення - Корейську війну. Фактично це була опосередкована війна між США і СРСР. В цей же час США готувалися до прямої війни з СРСР. У 1949 р. в США був розроблений опублікований нині план В«Останній пострілВ» (Operation Dropshot), фактично план Третє світової війни, війни термоядерної. План передбачав прямий напад на СРСР 1 січня 1957 Протягом місяця передбачалося скинути на наші голови 300 50-кілотонни атомних і 200 000 звичайних бомб. Для цього план передбачав розробку спеціальних балістичних ракет, підводних атомних човнів, авіаносців і багато чого іншого. Так почалася розв'язана США безпрецедентна гонка озброєнь, яка тривала всю другу половину минулого століття, триваюча, не настільки демонстративно, і зараз. У цих умовах перед нашою країною, що витримала безпрецедентну в моральному та економічному відношенні чотирирічну війну і домоглася перемоги ціною величезних зусиль і жертв, виникли нові гігантські проблеми по забезпечення власної і союзників безпеки. Довелося терміново, відриваючи ресурси від змученого війною і голодного народу, створювати нові види зброї, утримувати в постійній боєготовності величезну армію. Так були створені атомні та водневі бомби, міжконтинентальні ракети, система протиракетної оборони та багато іншого. Наші успіхи в галузі забезпечення обороноздатності країни і реальна можливість отримання нищівної удару у змусили США відмовитися від реалізації плану В«DropshotВ» та інших йому подібних. Одним з наслідків В«холодної війниВ» була майже повна економічна і інформаційна ізоляція протиборчих сторін. Економічні та наукові зв'язки були вельми слабкі, а в області стратегічно важливих галузей і нових технологій практично були відсутні. Важливі відкриття, винаходи, нові розробки в будь-якій області знань, які могли бути використані у військовій техніці або сприяти економічному розвитку, засекречувалися. Поставки прогресивних технологій, обладнання, продукції заборонялися. У результаті радянська напівпровідникова наука і промисловість, розвивалися в умовах майже повної ізоляції, фактичної блокади від усього того, що робилося в цій області в США, Західної Європі, а потім і Японії. Слід також зазначити, що радянська наука і промисловість у багатьох напрямках тоді займала лідируюче у світі положення. Наші винищувачі в корейській війні були краще американських, наші ракети були могутніше всіх, в космосі в ті роки ми були попереду планети всієї, перший в світі комп'ютер з продуктивністю вище 1 млн. оп/с був наш, водневу бомбу ми зробили раніше США, балістичну ракету першої збила наша система ПРО і т.п. Відстати в електроніці означало потягнути назад всі інші галузі науки і техніки. Значення напівпровідникової техніки в СРСР розуміли чудово, але шляхи і методи її розвитку були іншими, ніж у США. Керівництво країни усвідомлювала, що протистояння у холодній війні можна забезпечити шляхом розвитку оборонних систем, керованих надійної, малогабаритної електронікою. У 1959 році були засновані такі заводи напівпровідникових приладів, як Олександрівський, Брянський, Воронезький, Ризький і ін У 1961 р. було прийнято Постанову ЦК КПРС і СМ СРСР В«Про розвиток напівпровідникової промисловості В», в якому передбачалося будівництво заводів і НДІ в Києві, Мінську, Єревані, Нальчику та інших містах. Причому базою для створення перших підприємств напівпровідникової промисловості стали абсолютно не пристосовані для цих цілей приміщення (будівлі комерційного технікуму в Ризі, радпартшколі в Новгороді, макаронна фабрика в Брянську, швейна фабрика в Воронежі, ательє в Запоріжжі і т.д.). Але повернемося до витоків. p> 5. ПЕРШІ СОВЕТСКИЕ ТРАНЗИСТОРИ
У роки, що передують винаходом транзистора, в СРСР були досягнуті значні успіхи у створенні германієвих і кремнієвих детекторів. У цих роботах використовувалася оригінальна методика дослідження пріконтактной області шляхом введення в неї додаткової голки, внаслідок чого створювалася конфігурація, в точності повторює точковий транзистор. Іноді при вимірах виявлялися і транзисторні характеристики (вплив одного В«p - nВ» переходу на інший близько розташований), але їх відкидали як випадкові і нецікаві аномалії. Мало в чому наші дослідники поступалися американським фахівцям, не було у них лише одного - націленості на транзистор, і велике відкриття вислизнуло з рук. Починаючи з 1947 р. інтенсивні роботи в області напівпровідникових підсилювачів велися в ЦНДІ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) і в НДІ-160 (НДІ В«ІстокВ», Фрязіно, лаб. А. В. Красилова). У 1948 р., група А. В. Красилова, розробляла г...
