ерманієві діоди для радіолокаційний станцій, також отримала транзисторний ефект і спробувала пояснити його. Про це в журналі В«Вісник інформації В»у грудні 1948 ними було опубліковано статтюВ« Кристалічний тріод В» - Перша публікація в СРСР про транзисторах. Нагадаємо, що перша публікація про транзисторі в США в журналі В«The Physical ReviewВ» відбулася в липні 1948 р., тобто результати робіт групи Красилова були незалежні і майже одночасні. Таким чином наукова та експериментальна база в СРСР була підготовлена ​​до створення напівпровідникового тріода (термін В«транзисторВ» був введений в російську мову в середині 60-х років) і вже в 1949 р. лабораторією А. В. Красилова були розроблені і передані в серійне виробництво перші радянські точкові германієві тріоди С1 - С4. У 1950 р. зразки германієвих тріодів були розроблені в ФІАН (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов і ін), в ЛФТИ (В.М. Тучкевіч, Д. Н. Спадщина) і в ІРЕ АН СРСР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин та ін.) p> У травні 1953 був утворений спеціалізований НДІ (НДІ-35, пізніше - НДІ В«ПульсарВ»), заснований Міжвідомча Рада по напівпровідникам. У 1955 р. почалося промислове виробництво транзисторів на заводі В«СвітланаВ» в Ленінграді, а при заводі створено ОКБ з розробки напівпровідникових приладів. У 1956 р. московський НДІ-311 з дослідним заводом перейменований в НДІ В«СапфірВ» із заводом В«ОптронВ» і переорієнтований на розробку напівпровідникових діодів і тиристорів. Протягом 50-х років в країні були розроблені ряд нових технологій виготовлення площинних транзисторів: сплавна, сплавно-дифузійна, Меза-дифузійна. Напівпровідникова промисловість СРСР розвивалася досить швидко: в 1955 р. було випущено 96 тисяч, в 1957 р. - 2,7 млн, а в 1966 р. - більше 11 млн. транзисторів. І це був тільки початок.
6. Польові транзистори
Перший польовий транзистор був запатентований в США в 1926/30гг., 1928/32гг. і 1928/33гг. Лилиенфельд - автор цих Потенте. Він народився в 1882 році в Польщі. З 1910 по 1926 р. був професором Лейпцизького університету. У 1926 р. іммігрував до США і подав заявку на патент. Запропоновані Лилиенфельд транзистори ми були впроваджені у виробництво. Найбільш важлива особливість винаходу Лилиенфельда полягає в тому, що він розумів роботу транзистора на принципі модуляції провідності виходячи з електростатики. У описі до патенту формулюється, що провідність тонкої області напівпровідникового каналу модулюється вхідним сигналом, що надходять на затвор через вхідний трансформатор. У 1935 році в Англії отримав патент на польовій транзистор німецький винахідник О.Хейл
Схема з патенту представлена ​​на Рис. де:
В
Керуючий електрод (1) виконує роль затвора, електрод (3) виконує роль стоку, електрод (4) роль витоку. Подаючи змінний сигнал на затвор, розташований дуже близько до провідника, отримуємо зміну опору напівпровідника (2) між стоком і витоком. При низькій частоті можна спостерігати коливання стрілки амперметра (7). Дане винахід є прототипом польового транзистора з ізольованим затвором. Наступний період хвилі винаходів по транзисторах настав у 1939 році, коли після трирічних вишукувань за твердотельному підсилювача у фірмі "BTL" (Bell Telephone Laboratories) Шоклі був запрошений включитися у дослідження Браттейна по медноокісному випрямителю. Робота була перервана другою світовою війною, але вже перед від'їздом на фронт Шоклі запропонував два транзистора. Дослідження з транзисторам
Біполярні транзистори напівпровідникові прилади з великим числом шарів різного типу електропровідності, розташованих в різному поєднанні. Розглянемо біполярний транзистор. p> Принцип дії біполярного транзистора полягає в те, що 2 р-п переходу розташовані настільки близько один до одного, що відбувається взаємне їх вплив, внаслідок чого вони посилюють електричні сигнали.
В
br/>
Як показано на рис., це три області - п-, р-і п. (В принципі може бути і навпаки: р-, п-, р-; всі міркування щодо такого транзистора будуть однакові, різниця тільки в полярностях напруг, такий транзистор називається р-п-р, а ми для простоти будемо розглядати п-р-п, зображений на рис.)
Отже, на рис. зображені три шари: з електронної електропровідністю, причому сильною, що позначає плюс - емітер, доречний - база, і знову електронної, але слабше легованої (концентрація електронів найменша) - колектор. Товщина бази, тобто відстань між двома р-п переходами, рівне Lб, дуже мала. Вона повинна бути менше дифузійної довжини електронів в базі. Це від одиниць до десятка мкм. Товщина бази повинна бути не більше одиниць мкм. (Товщина людської волосини 20-50 мкм. Відзначимо також, що це близько до межі дозволу людського ока, так як ми не можемо бачити нічого меншого, ніж довжина хвилі світла, тобто приблизно 0,5 мкм). Всі інші розміри транзистора не більше приблизно 1 мм.
До верствам прикладають зовнішня напруга так, що емітерний р-п перехід зміщений у пр...
