= Ек/Rк при Uк = 0.
Вимоги безпеки праці
Не вмикати лабораторний стенд без перевірки викладачем схеми з'єднань. При перемиканні вимірювальних приладів в ході роботи вимкнути тумблер В«МЕРЕЖАВ». p> Порядок виконання роботи
. Підключити джерела живлення ГТ і Гн2, вимірювальні прилади у вхідний і вихідний ланцюгах схеми, дотримуючись полярності (рис. 12). p> У вхідному ланцюзі використовувати прилад блоку ІВ для вимірювання струму бази Іб (РА1), перемикач якого встановити в положенні ГТ 1 мА, прилад АВМ1 на межі 1В для вимірювання напруги база - емітер (PV1).
В
. Встановити на стенд транзистор. p align="justify">. Дослідити залежність струму бази Іб від напруги база-емітер Uбе при Uке: 0, -5 і -7,5 В. Змінювати струм бази регулятором ГТ від 0 до 500 мкА. Дані занести в таблицю, розроблену самостійно. p align="justify">. Дослідити залежність струму колектора Ік від напруги колектор-емітер Uке для трьох значень струму бази Іб: 100, 200 і 300 мкА. Для цього зробити наступне:
В· відключити РА1 і вставити в гніздо перемичку;
В· для вимірювання струму колектора використовувати прилад АВМ1 (50 мкА);
В· зняти залежність Ік = F (Uке).
Змінювати Uке від 0 до 15 В через 2 В до значення Ік = 30 мА. Дані занести в самостійно складену таблицю. p align="justify">. Дослідити передавальну характеристику транзистора. Струм бази виміряти за допомогою генератора струму ГТ в межах від 0 до 500 мкА при Uк = 5В і 10В. Дані занести в таблицю. p align="justify"> Обробка результатів вимірювань
Побудувати сімейства вхідних і вихідних характеристик із зазначеними на них областями насичення, відсічення і активного режиму.
За отриманими характеристиками розрахувати значення h-параметрів для точки, що відповідає Іб = 100мкА, Uке = 5В.
Контрольні запитання
1. Графічне позначення транзисторів pnp, npn.
2. Як маркуються транзистори?
. Як влаштовані транзистори р-п-р, npn типів?
. Принцип дії транзистора.
. Режими роботи транзистора.
. Схеми включення транзистора і їх особливості.
. Намалювати вхідні та вихідні характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
. Як визначити h-параметри транзистора в схемі з ОЕ за характеристиками?
Лабораторна робота 3
ДОСЛІДЖЕННЯ ЧАСТОТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Мета роботи: дослідження частотної залежності коефіцієнта підсилення транзистора по напрузі в каскаді резистивного підсилювача, в якому транзистор включений за схемою з загальним емітером (ОЕ) або за схемою із загальною базою (ПРО).
Устаткування та приладдя: лабораторний стенд, транзистор МП40, знімні елементи R1, R2; R3, C1, C2, з'єднувальні дроти, осцилограф, частотомір, генератор типу Л31.
Основні теоретичні відомості
При роботі на високих частотах проявляються інерційні властивості транзистора, зумовлені кінцевим часом прольоту носіїв заряду через базу і перезарядом ємностей переходів, внаслідок чого зменшується амплітуда вихідного струму і виникають фазові зрушення між струмами і напругами.
Частотні властивості транзистора можуть характеризуватися залежністю коефіцієнта посилення по напрузі Ku від частоти, тобто
В
З ростом частоти Ku зменшується. Частоту, на якій Ku зменшується в раз, називають граничною частотою або частотою зрізу fc. Частоту, на якій Ku = 1, називають граничною частотою або одиничної частотою f1. Залежність коефіцієнта посилення по напрузі від частоти знімається при постійному вхідній напрузі Uвх (f) = const. Робочу точку при цьому необхідно вибирати в активній області характеристик транзистора, а амплітуда вхідного сигналу Um не повинна бути занадто великою. Величина амплітуди сигналу для кожного типу транзистора вибирається так, щоб у процесі роботи транзистор не опинятися в режимі відсічення або насичення. При недотриманні цих умов - великих амплітудах вхідного сигналу або при невдалому виборі робочої точки - залежність Ku (f) буде спотворена і не може характеризувати частотні властивості транзистора. p> При побудові графіка за результатами експерименту (рис.13), як правило, виконується нормировка: отримані значення коефіцієнта ...
