Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Особливості поліморфізму

Реферат Особливості поліморфізму





електричної проникності від температури з аномально великим максимумом при певній температурі, званої точкою Кюрі.

Різка залежність діелектричної проникності від напруженості електричного поля.

Наявність діелектричного гістерезису, I. е. відставання в часі поляризації від прикладеної напруги.

Досить різко виражена залежність діелектричної проникності та діелектричних втрат від частоти, особливо в області надвисоких частот.

Різка зміна в певному інтервалі температури при нагріванні (або охолодженні) теплоємності, температурного коефіцієнта лінійного розширення, модуля пружності і т. л.

При температурі нижче фазового переходу виникають спонтанні деформації і знижується симетрія кристалічної решітки.

Суттєвою особливістю сегнетоелектриків є не тільки наявність спонтанної поляризації, але і можливість зміни знака цієї поляризації при дії електричного напруги.

У ході досліджень, які у 60-х роках, виявилися нові групи сегнетоелектриків - невласні сегнетоелектріки з неполярними неустойчивостями, що отримали назву В«віртуальніВ» сегнетоелектріки, які мають велику, зростаючу при зниженні температури діелектричну проникність, але залишаються параелектрікамі аж до абсолютного нуля. «³ртуальніВ» сегнетоелектріки це речовини, що переходять у сегнетоелектричних стан тільки при-якому зовнішньому впливі - додатку електричного поля, механічного тиску, введення домішок, освіті дефектів або порушень структури кристалічної решітки. До таких речовин відносяться квантові сегнетоелектріки: титанат стронцію і танталат калію. Одним з нових напрямків у фізиці твердого тіла стало дослідження оптичних властивостей сегнетоелектриків. З появою лазерів виникла необхідність в матеріалах з великою нелінійної сприйнятливістю для здійснення ефективного управління пучком випромінювання в ультрафіолетовому, видимому і ближньому інфрачервоному діапазонах. Сегнетоелектріки виявилися матеріалами, придатними для цієї мети. [3]


. П'єзоелектрики: прямий і зворотний пьезоеффект


У 1756 р. російський академік Ф. Епінус виявив, що при нагріванні кристала турмаліну на його гранях з'являються електростатичні заряди. Надалі атому явищу було присвоєно найменування піроелектричного ефекту. Ф.Епінус припускав, що причиною електричних явищ, які спостерігаються при зміні температури, є нерівномірний нагрів двох поверхонь, що приводить до появи в кристалі механічних напруг. Одночасно він вказав, що сталість у розподілі полюсів на певних кінцях кристала залежить від його структури і складу, таким чином Ф. Епінус підійшов впритул до відкриття п'єзоелектричного ефекту. p align="justify"> П'єзоефект в кристалах був виявлений в 1880 р. братами П. і Ж. Кюрі, спостерігається виникнення на поверхні пластинок, вирізаних у певній орієнтуванні з крист...


Назад | сторінка 4 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Релаксорние сегнетоелектріки в системі твердих розчинів
  • Реферат на тему: Розрахунок діелектричної проникності
  • Реферат на тему: Вивчення частотної залежності дійсної та уявної частини діелектричної прони ...
  • Реферат на тему: Аналіз дефектів кристалічної решітки
  • Реферат на тему: Фізичні основи кількісного рентгеноструктурного аналізу металів. Діфрактом ...