ітоопір манганітів пов'язують з трьома процесами розсіювання носіїв заряду:
1) критичне розсіяння на флуктуаціях намагніченості (при t ≈ Tc);
2) межзеренное розсіяння (при t
3) внутрізеренное розсіяння (при t
Збільшення концентрації кальцію призводить до монотонного зміщення максимуму магніторезистивного ефекту в область більш високих температур (від 133 К (х = 0) до 223 К (х = 0,25)), зі зростанням його величини в сім разів (Рис.3.). p> В області низьких температур, порядку 90К, спостерігається зростання значень магніторезистивного ефекту для складів від х = 0 до 0,2 при збільшенні вмісту іонів Ca 2 + , що пов'язано, мабуть, з їх нерівномірним розподілом як усередині зерна, так і поблизу його межі. Так в роботі [10] при використанні електронної мікроскопії високого дозволу виявлено співіснування ромбоедричної, гексагональної і кубічної В«фазВ» відповідних областям, збагаченим іонами La-Sr, Lu і Sr відповідно. Виконане комплексне дослідження (Рентгеноструктурним, магнітним, резистивним і ЯМР 55 Mn методами) керамічних зразків манганіт-лантанових перовскитів (La 1-x Ca x ) 1-у MnO 3 (У, х = 0 - 0,3) спечених при температурі 1170 0 З дозволило встановити закономірності зміни: типу структури, параметра крісталлліческой решітки, температури фазового переходу "метал-напівпровідник" і "феро-парамагнетик" і магніторезистивного ефекту зі зміною складу.
Марганець-цинкові ферити (МЦФ) відносяться до найбільш перспективних магнитомягкие матеріалами, використовуваним в електронній техніці. Зрослий інтерес до цих феритів пов'язаний з дискусійністю колосального магніторезистивного (CMR) ефекту, виявленого не тільки в рідкоземельних манганітах/1 /, але і в марганець-цинкових феритах.
Використовуючи рентгенівські (структурний і спектральний), нейтронографіческій, резистивний, месбауерівських, магнітні, в тому числі ЯМР, методи досліджували вплив складу на дефектність структури, ступінь спрямованості та властивості марганець-цинкових феритів Mn 0.95-x Zn х Fe 2.05 O 4 + Оі (х = 0-0.45). Керамічні зразки були отримані по оптимізованої технології, включаючи регульований газотермічні режим їх спікання і охолодження.
Концентраційні залежності параметра решітки (а) і температури Кюрі (Т з ), наведені на рис.1, показують зменшення а і Тс при зростанні х внаслідок заміщення меншими діамагнітними іонами Zn 2 + великих магнітних іонів Mn 2 + . br/>
В
Рис.5 Концентраційні залежності параметра решітки (а) і температури Кюрі (Т з ). br/>
Рис 6. Концентраціониие залежності ефективного магнітного поля (Нефф.), хімічного зсуву (Оґ) і квадрупольного розщеплення (О”).
Вплив х на ефективні магн...
