n="justify">, R Б4
I справ = U п < span align = "justify">/(R бз + R Б4 ) = 20/(5700 +900) = 3 мА;
I справ >> I б2п -відповідає умові незалежності вихідної напруги дільника U б2 від струму бази VT2.
Опір навантаження каскаду на транзисторі VT2
R н = R к2 < span align = "justify">? (R ез ? Rн) h 21ез = 876 Ом.
Коефіцієнт посилення каскаду на транзисторі VT2 без урахування дії ланцюга місцевої ООС (R вх = 663 Ом)
До Uк = R до < span align = "justify"> h 21е /R вх = 70080/663 = 10,6.
Опір навантаження для каскаду на транзисторі VT1 по змінному струму
/R н2 = 1/R бз +1/R Б4 +1/R вх = 1/5, 7 +1/0,9 +1/0,66;
R н2 = 556 Ом.
. Розраховують каскад на транзисторі VT1. p align="justify"> Резистор R к1 визначають з умови
R к1 =>> R н2 .
Приймають R к1 = 5,6 кОм.
Струм спокою транзистора VT1 в припущенні, що U к1 = U п /2, дорівнює
I к1п = (U п
