ерами;
В· DFB-лазери з зовнішнім модулятором;
В· лазери з вертикальним резонаторної порожниною і випромінюючої поверхнею (VCSEL).
Принцип дії напівпровідникових лазерів (ППЛ) заснований на вимушеної випромінювальної рекомбінації електронно-доручених пар, в активних напівпровідникових структурах, одержуваних при проходженні через такі структури електричного струму накачування. Найбільшого поширення набули лазери на гетероструктурах (Гетеролазери), лазери з розподіленою зворотним зв'язком (РІС-лазери) і лазери на квантоворозмірних структурах (КРС-лазери). p align="justify"> Сучасні ППЛ, застосовувані в системах оптичного зв'язку, зазвичай працюють у спектральних діапазонах високої прозорості кварцового оптоволокна - 0.82-0.90 мкм, 1.30 - 1.33 мкм і близько 1.55 мкм. Типова потужність випромінювання таких ППЛ від 1 до 5 мВт; збільшення вихідної потужності ППЛ для магістральних ВОСПИ понад 5-10 мВт недоцільно, оскільки термін дії потужних лазерів порівняно невеликий. Крім цього, при великій щільності потужності в одномодовому волокні помітну роль починають грати нелінійно-оптичні явища - ВКР, ВРМБ та ін, що призводять до спотворень переданих сигналів. Ширина спектру випромінювання кращих зразків промислових напівпровідникових лазерів близько 0.1 нм при рівні бічних частот нижче 20 дБ. У одночастотних ППЛ, що використовуються в системах когерентної оптичного зв'язку, напівширина спектру генерації менше 500 МГц. Величина порогового струму накачування РОС-лазерів становить кілька десятків мА, у ППЛ на основі квантоворозмірних структур пороговий струм накачування істотно менше - від 3 до 15 мА. Як правило, ППЛ для ВОЛЗ випускаються у вигляді компактних оптоелектронних модулів, що містять сервісну електроніку (підсилювач подводимого сигналу, систему авторегулювання потужності, температури та ін), фотоприймач для контролю потужності вихідного випромінювання, терморезистор і напівпровідниковий термоелемент (елемент Пельтьє) - В«холодильникВ» , керований спеціальним електронним пристроєм і підтримує стабільну робочу температуру всередині модуля. У такому модулі випромінювання з активної області ППЛ з використанням мікролінз вводиться в вихідну одномодовое або багатомодове оптоволокно. В останні роки випуск окремих випромінювальних напівпровідникових модулів для ВОСПИ стає обмеженим, і набагато більшого поширення в техніці оптичного зв'язку знаходять приймально-передавальні оптоелектронні модулі, що містять в єдиному компактному блоці напівпровідникові випромінювач і фотоприймач. p align="justify"> Частота модуляції сучасних комерційних високошвидкісних ППЛ становить від декількох десятків - сотень МГц до приблизно 1.5 - 2.5 ГГц. У унікальних зразках ППЛ досягнута швидкість передачі сигналів понад 25 Гбіт/с. p align="justify"> В останні роки підвищений інтерес розробників ВОСПИ викликають В...
