Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок параметрів напівпровідникових приладів

Реферат Розрахунок параметрів напівпровідникових приладів





(1.20)


Підставивши формули (17) - (20) в (14), отримаємо остаточний вираз для струму насичення діода:

(1.21)


При цьому зауважимо, що контактна різниця потенціалів ? k також залежить від температури:


(1.22)


Залежність власної концентрації носіїв у Si від температури визначається виразом:


(1.23)


Підставимо (1.23) в (1.22)


(1.24)


Розрахуємо значення ? k при температурах T = 250К і T = 400К. Ці значення будемо використовувати при розрахунку струмів насичення:

При T = 250К

В 

При T = 400К

В 

Проведемо розрахунки для величини струму насичення діода:

При T = 250К

В 

При T = 300К

В 

При T = 400К

В 

Як видно з обчислень, струм діода дуже різко залежить від температури, значно збільшуючись при відносно невеликій зміні температури. Це можна пояснити збільшенням теплової генерації неосновних носіїв поблизу pn переходу з підвищенням температури, концентрація яких зростає за законом Арреніуса. p> У діоді є струм через p - n перехід і є генерація неосновних носіїв з емітера в базу і з бази в емітер. Коефіцієнт інжекції діода визначається як відношення корисної, в даному випадку електронної, складової струму (щільності струму) до загального струму (щільності струму) через pn перехід:


(1.25)


де


(1,26 а)


і аналогічно


(1.26б)

Для знаходження коефіцієнта дифузії електронів Dn скористаємося співвідношенням Ейнштейна (17). Вираз для коефіцієнта дифузії дірок Dp має аналогічний вигляд:


(1.27)


В В 

Дифузійна довжина електронів визначається виразом (19). А дифузійна довжина дірок буде визначатися виразом (16):

(см)

(см)

Тоді, провівши потрібні обчислення, отримаємо:

В В В 

Бар'єрна ємність pn переходу визначається з урахуванням формули (12) виразом:


(1.28)


Проведемо обчислення:

При U = 0В

В 

При U =-5В

В 

При U =-10В

В 

З розрахунків видно, що із збільшенням зворотної напруги бар'єрна ємність pn переходу зменшується.

Напруга лавинного пробою визначають за напівемпіричної формулою:


(1.29),


де коефіцієнти B і a залежать від типу pn переходу і матеріалу напівпровідника. Зокрема для нашого n +-p кремнієвого діода формула (1.29) має вигляд:


(1.30)


Проведемо обчислення:

В 

Результати всіх обчислень подамо у вигляді таблиць 1.2 - 1.4:


Таблиці 1.2. Результати обчислень? До, ...


Назад | сторінка 4 з 8 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок струму насичення
  • Реферат на тему: Вольтамперні характеристики кремнієвого діода при 300 К
  • Реферат на тему: Температурні залежності параметрів вольт-амперної характеристики резонансно ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів вимірювальних приладів для вимірювання електричного с ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів вимірювальних приладів для вимірювання електричного с ...