Еmax,?, Uлп. p align="justify">? до, ВЕmax, В/см ? Uлп , В0, 822684,160,979113,5
Таблиця 1.3. Значення СБ, ? , ? p, ? n при значеннях 0В, 5В і 10В
, В0510СБ, пФ0, 890,330,24 ? , см3, 5 * 13,3 * 18,2 * ? p, см3, 414 * 12,97 * 17,75 * ? n, см8, 635 * 32,81 * 44,89 *
Таблиця 1.4. Значення струму насичення Is при температурах, рівних 250К, 300К і 400К
T, K250300400Is, A2.125 * 3.959 * 4.969 *
2. Розрахункове завдання 2
Дано: глибина залягання емітерного переходу h е = 2.2 мкм, глибина залягання колекторного переходу h < span align = "justify"> до = 3,2 мкм, концентрація донорної домішки в емітер N Де < span align = "justify"> = 4 * 10 18 см - 3 , концентрація донорної домішки в колекторі N дк = 3 * 10 16 см -3 , концентрація акцепторної домішки в базі N аб = 5 * 10 16 см -3 , час життя неосновних носіїв у базі t б = 9 * 10 -8 с.
Товщина квазинейтральной області бази визначається за формулою:
, (2.1)
де Wб = hк - hе = 3,2 - 2,2 = 1 (мкм) - металургійна ширина бази,? ВЕ - ширина частини ОПЗ емітерного pn переходу,? pк - ширина частини ОПЗ колекторного pn переходу, які визначаються формулами :
(2.2а)
(2.2б)
Рівноважні ширини ОПЗ емітерного і колекторного pn пере...
