i align="justify"> u КБ . Таким чином, в активному режимі всю структуру транзистора від емітера до колектора пронизує наскрізний потік електронів, що створює у зовнішніх колах емітера і колектора струми i Е і i До , спрямовані назустріч руху електронів.
Важливо підкреслити, що цей потік електронів і, відповідно, струм колектора i До , що є вихідним струмом транзистора, дуже ефективно управляються вхідною напругою u ЕБ і не залежать від вихідної напруги u КБ . Ефективне управління вихідним струмом за допомогою вхідної напруги складає основу принципу роботи біполярного транзистора і дозволяє використовувати транзистор для посилення електричних сигналів.
Схема найпростішого підсилювального каскаду на транзисторі, включеному за схемою ПРО, наведена на рис. 4. У порівнянні зі схемою, наведеною на рис. 4, в емітерний ланцюг введений джерело змінної напруги u ЕБ - , а в колекторному ланцюг включений навантажувальний резистор R До . Змінна напруга u ЕБ - поряд з напругою, що подається від джерела живлення, впливає на наскрізний потік електронів, що рухаються з емітера в колектор. У результаті цього впливу колекторний струм набуває змінну складову i К - , яка завдяки дуже високій ефективності управління може бути значною навіть при дуже маленькою величиною u ЕБ - . При протіканні струму колектора через навантажувальний резистор на ньому виділяється напруга, яка також має змінну складову
КБ - = i К - R До .
Це вихідна змінна напруга при досить великому опорі RК може значно перевершувати величину вхідної змінної напруги u < i align="justify"> ЕБ - (u КБ - gt ; gt; u ЕБ - ) . Таким чином, транзистор, включений за схемою ПРО, посилює електричні сигнали за напругою. Що стосується усиле?? ия по струму, то розглянута схема його не забезпечує, оскільки вхідний і вихідний струми приблизно рівні один одному ( i Е gt; gt; i До ).
.1.4 Основні параметри біполярного транзистора
Коефіцієнт посилення по струму - співвідношення струму колектора I З до струму бази IB. Позначається ? , hfe або h21e , залежно від специфіки розрахунків, проведених з транзисторів.
?- Величина постійна для одного транзистора, і залежить від фізичної будови приладу. Високий коефіцієнт посилення обчислюється в сотнях одиниць, найнижчий - у десятках. Для двох окремих транзисторів одного типу, навіть якщо під час виробництва вони були сусідами по конвеєру ,? може трохи відрізнятися. Ця характеристика біполярного транзистора є, мабуть, найважливішою. Якщо іншими параметрами приладу досить часто можна знехтувати в розрахунках, то коефіцієнтом посилення по струму практично неможливо.
Вхідний опір - опір в транзисторі, яке зустрічає струм бази. Позначається R in ( R вх ). Чим воно більше - тим краще для підсилювальних характеристик приладу, оскільки з боку бази зазвичай знаходитися джерело слабкого сигналу, у якого потрібно споживати якомога менше струму. Ідеальний варіант - це коли вхідний опір дорівнює нескінченність. вх для середньостатистичного біполярного транзистора становить кілька сотень К? (килоом). Тут біполярний транзистор дуже сильно програє польовому транзистору, де вхідний опір доходить до сотень Г? (Гіга).
Вихідна провідність - провідність транзистора між колектором і емітером. Чим більше вихідна провідність, тим більше струму колектор-емітер зможе проходити через транзистор при меншої потужності. біполярний транзистор напівпровідниковий
Також із збільшенням вихідний провідності (або зменшенням вихідного опору) збільшується максимальне навантаження, яке може витримати підсилювач при незначних втратах загального кое...
