фіцієнта посилення. Наприклад, якщо транзистор з низькою вихідний провідністю підсилює сигнал в 100 разів без навантаження, то при приєднанні навантаження в 1 До ?, він вже буде посилювати всього в 50 разів. У транзистора, з таким же коефіцієнтом посилення, але з більшою вихідною провідністю, падіння посилення буде менше. Ідеальний варіант - це коли вихідна провідність дорівнює нескінченність (або вихідний опір R out=0 (R вих=0)).
Частотна характеристика - залежність коефіцієнта підсилення транзистора від частоти вхідного сигналу. З підвищенням частоти, здатність транзистора підсилювати сигнал поступово падає. Причиною тому є паразитні ємності, що утворилися в PN-переходах. На зміни вхідного сигналу в базі транзистор реагує не миттєво, а з певним уповільненням, обумовленим витратою часу на наповнення зарядом цих ємностей. Тому, при дуже високих частотах, транзистор просто не встигає зреагувати і повністю посилити сигнал.
.1.5 Схеми включення біполярних транзисторів
Схема включення транзистора із загальним емітером
Між базою і емітером транзистора, включеного за схемою з загальним емітером, під'єднують джерело сигналу, а до колектора - навантаження. До емітером транзистора підключають полюси однакових знаків джерел живлення. Вхідним струмом каскаду виступає струм бази транзистора, а вихідним струмом - струм колектора. Це показано на рис. 5, на прикладі включення в електричний ланцюг біполярного pnp транзистора.
Рис.5. Включення в електричний ланцюг біполярного pnp транзистора
На практиці обходяться одним джерелом живлення, а не двома. Напрямок протікання струму за висновками транзистора дано на рис. 6. Включення npn транзистора абсолютно аналогічно включенню pnp транзистора, проте в даному випадку доведеться поміняти полярність обох джерел живлення.
Рис. 6. Включення в електричний ланцюг біполярного npn транзистора
Коефіцієнт посилення каскаду дорівнює відношенню струму колектора до струму бази і зазвичай може сягати від десятків до декількох сотень. Транзистор, включений за схемою з загальним емітером, теоретично може дати максимальне посилення сигналу по потужності, щодо інших варіантів включення транзистора. Вхідний опір розглянутого каскаду, рівне відношенню напруги база-емітер до струму бази, лежить в межах від сотень до тисяч ом. Це менше, ніж у каскаду з транзистором, приєднаним за схемою з загальним колектором. Вихідний сигнал каскаду з загальним емітером володіє фазовим зрушенням в 180 ° щодо вхідного сигналу. Флуктуації температури роблять значний вплив на режим роботи транзистора, включеного за схемою з загальним емітером, і тому слід застосовувати спеціальні ланцюги температурної стабілізації. У зв'язку з тим, що опір колекторного переходу транзистора в розглянутому каскаді вище, ніж в каскаді з загальною базою, то необхідно більше часу на рекомбінацію носіїв заряду, а, отже, каскад із загальним емітером володіє гіршим частотним властивістю.
Схема включення транзистора із загальним колектором
До емітером транзистора, включеного за схемою з загальним колектором, під'єднують навантаження, на базу подають вхідний сигнал. Вхідним струмом каскаду є струм бази транзистора, а вихідним струмом - струм емітера. Це відображено на рис. 7, на якому зображена схема включення біполярного pnp транзистора.
Рис.7. Схема включення біполярного pnp транзистора
З навантажувального резистора, включеного послідовно з виведенням емітера, знімають вихідний сигнал. Вхід каскаду володіє високим опором, зазвичай від десятих часток мегаомах до декількох мегаом через те, що колекторний перехід транзистора замкнений. А вихідний опір каскаду - навпаки, мало, що дозволяє використовувати такі каскади для узгодження попереднього каскаду з навантаженням. Каскад з транзистором, включеним по схемі із загальним колектором, не посилює напругу, але посилює струм (зазвичай в 10 ... 100 разів). Фаза вхідної напруги сигналу, що подається на каскад, збігається з фазою вихідної напруги, тобто відсутній його інверсія. Саме через збереження фази вхідного і вихідного сигналу каскад із загальним колектором носить іншу назву - емітерного повторювача. Температурні та частотні властивості емітерного повторювача гірше, ніж у каскаду, в якому транзистор підключений по схемі із загальною базою.
Схема включення транзистора із загальною базою
У каскаді, зібраному за схемою із загальною базою, напруга вхідного сигналу подають між емітером і базою транзистора, а вихідна напруга знімають з висновків колектор-база. Включення транзистора pnp структури за схемою із загальною базою наведено на рис. 8.
