ї). Відповідно ці системи позначають символами 3D, 2D і 2,5D (D - початкова буква англ. Dimension - вимір, координата). Застосування тієї чи іншої системи організації Ф. з. у. залежить від конкретних вимог, що пред'являються до пам'яті ЕОМ: в Ф. з. у. малої місткості і високого швидкодії зазвичай використовують систему 2D; при середній ємності і високій швидкодії або великої ємності і середньому швидкодії - 2,5D; при великій ємності і малому швидкодії - 3D. До складу Ф. з. у. входять сотні транзисторів, тисячі напівпровідникових діодів, сотні інтегральних мікросхем, мільйони ФС. Тому при створенні Ф. з. у. великої ємності необхідно забезпечувати ідентичність характеристик і параметрів елементів, особливо ФС, і економічність даного запам'ятовує. Найбільш економічні запам'ятовуючі пристрої з системою організації 3D; найменш економічна - 2D. Ф. з. у. з системою організації 2,5D дозволяє при порівняно невеликих витратах отримувати високу швидкодію при великих ємностях, що зумовлює перспективність її використання в сучасних ЕОМ.
Магнітні напівпровідники - матеріали проявляють як властивості феромагнетиків, тадо і властивості напівпровідників. Серед М. п. Існують матеріали з разл. типами магн. упорядкування - феромагнітним, антиферомагнітним, гелікоїдального і т.д. До цього класу речовин відносяться також нек-риє спінові стекла.
Характеристики магнітних напівпровідників
феромагнетик напівпровідник запам'ятовує
Температура магнітних фазних переходів у М. п. лежить, як правило, в діапазоні гелієвих (4,2К) і азотних (~ 77,4 К) темп-р, хоча відомі матеріали з точкою Кюрі Тс ~ 300 К (напр.,). Наиб. вивченими є М. п. типу ЕіХ, де X - О, S, Se, Ті, і з'єднання зі структурою шпінелі типу АСr2Х4, де А - Сu, Cd, Zn, Hg, Fe, Co; X - S, Se, Ті (див. Табл.).
Зонна структура магнітних напівпровідників
Електронний спектр М. п. визначається 2 різнорідними підсистемами - рухливими носіями заряду (електронами провідності і дірками) і більш локалізованими електронами атомів перехідних (або рідкоземельних) металів, що містять недобудовані d- або f-оболонки. Зважаючи на це електронний спектр М. п. Не може бути описаний (навіть в нульовому наближенні) найпростішої двухзонной моделлю і включає в себе, як правило, третю, т. Зв. d- або f-зону (рис. 1).
М. п. характеризується, як правило, наявністю т. н. непрямого обмінного взаємодії між d- або f-іонами. У решітці М. п. Магн. іони (для визначеності d-іони) розділені немагнітними і тому хвильові ф-ції d-електронів не перекриваються. Пряме обмінна взаємодія між ними відсутній. Однак виникає непряме взаємодія, обумовлена ??тим, що хвильові ф-ції магн. іонів перекриваються через хвильові ф-ції немагн. іонів. Непрямий обмін приводить до помітної зміни магн. властивостей М. п. при легуванні.
Крім обмінного взаємодії між парамагнітними іонами через нерухомі немагнітні іони в М. п. може мати місце обмінна взаємодія через рухливі носії заряду. Взаємодія між рухливими носіями заряду і малорухомими d-електронами призводить до залежності електричні. властивостей від магн. стану М. п. і, навпаки, магн. властивостей від концентрації носіїв заряду в М. п. Так, в М. п. спостерігаються різкі (на неск. порядків) скачки провідності при зміні темп-ри Т, різка зміна Тc при зміні концентрації носіїв в ході легування, різкі скачки магнетосопротивления, аномально велике отрицат. магнітоопір поблизу точки Кюрі Тс.
Рухливість носіїв в М. п. невелика в порівнянні зі звичайними напівпровідниками. Вона лімітується доповнить. механізмом розсіювання на неоднорідностях і флуктуаціях намагніченості. Визначення ефективної маси носіїв за допомогою ефекту Холла утруднено, тому через спонтанної намагніченості великий внесок аномальної складової. Крім того, наявність електрон-магнонного взаємодії в М. п. Приводить до зміни величини загасання спінових хвиль в М. п. При пропущенні струму.
Температурна залежність краю оптичного поглинання в EuS (а) і HgCr2Se4 (б);- Ширина забороненої зони
Характерною особливістю М.Н. є т. зв. гігантське червоне зміщення краю оптич. поглинання при зміні темп-ри. Так, у край поглинання зсувається від 0,8 до 0,3 еВ при зниженні Т від 300 до 4 К (рис. 3). Нек-рим М. п. Властиві явища фотомагнетізма (зміна магн. Властивостей при освітленні). Так, в при висвітленні змінюються магн. проникність, коерцитивної сила, вид стрибків Баркгаузена.
Багато особливості М. п., зокрема аномалії кинетич. характеристик, іноді пояснюють виходячи з теоретич. передбачення існування в М. п. Ферон - областей, в яких брало концентрація електронів провідності і магн. момент відрізняються від середніх по кристалу. Такі області м...
