де U бе З - падіння напруги на емітерний перехід транзистора VT3 (0.7 В).
Струм колектора VT2 складається з струму бази VT3 і струму втрат, який протікає через резистор R3,
к2=1б3 + IR3=37,5 10-3 + 5 10-4=38 '10-3 А.
Потужність, що розсіюється на колекторі транзистора VT2, дорівнює
Р2=1 к2 U k2 max=38 10-3 '4.3=163.410-3 Вт
За отриманими значеннями U k2 max, Ік2, Р2 вибираємо тип транзистора і виписуємо його параметри:
Марка транзистора 2Т603Б
Тип транзистора NPN
Допустимий струм колектора, Ік доп 300 мА
Доп. напруга колектор-емітер, U k доп 30 В
Рассеиваемая потужність колектора, рпред 0.5 Вт
Мінімальний коеф. передачі струму бази, h21Е2 min 60
За статичними ВАХ обраного транзистора знаходимо:
h1 1Е2=36.36 Ом,
m2=1/h12Е2=1/0.022=45.45.
Розраховуємо струм бази VТ2
IБ2=Iк2/h21Е2 min=3.8 10-2/60=6.3 10-4 А.
Знаходимо опір резистора RЗ
RЗ=(U н + UбеЗ)/IRЗ=(9 + 0.7)/5 '10-4=19400 Ом.
Вибираємо найближчий по стандарту номінал з урахуванням розсіюється на резисторі потужності
РRЗ=(Uн + UбеЗ) IRЗ=(9 + 0.7) 5 ??laquo; 10-4=4.85 10-3 Вт
У відповідності з рядом Е24 вибираємо резистор типу МЛТ - 0.125 20 кОм ± 5%.
Джерелом еталонної напруги беремо параметричний стабілізатор напруги на кремнієвому стабілітроні VD2 з розрахунку UVD2=0.7н=0.7 '9=6.3 В. Вибираємо тип стабілітрона і виписуємо його основні параметри: стабілітрон 2С156А;
I VD2=5 '10-3 А - середній струм стабілізації;
r VD2=25 Ом - диференційний опір стабілітрона. Обчислюємо опір резистора R4, задавши середній струм стабілітрона (I R4=I VD2)
R4=0.3 Uн/I R4=0.3 9/5 10-3=540 Ом.
Потужність, що розсіюється на резисторі R4, дорівнює
РR4=0.3Uн I R4=0.3 9 5 ??raquo; 10-3=13.5'10-3 Вт
У відповідності з рядом Е24 вибираємо резистор типу МЛТ - 0.125 560 Ом ± 5%.
Визначаємо початкові дані для вибору транзистора VТ4. Розраховуємо напруга колектор-емітер транзистора
Uк4mах=Uн + UбеЗ + Uбе2 - UVD2=4.1 В
Задаємо струм колектора VТ4 меншим ніжили середній стабілітронаVD2
К4=4`10-3 А.
Потужність, що розсіюється на колекторі транзистора VТ4
Р4=Iк4 Uк4 шах=4 10-3 '4.1=16.4 10-3 Вт
За отриманими значеннями Uк4 шах, Ік4, Р4 вибираємо тип транзистора і виписуємо його параметри:
Марка транзісторa КТЗ12В
Тип транзистора NPN
Допустимий струм колектора, Ік доп 30 мА
Доп. напруга колектор-емітер, U k доп 15 В
Рассеиваемая потужність колектора, рпред 0.22 Вт
Мінімальний коеф. передачі струму бази, h21 Е4 min 50
За статичними ВАХ обраного транзистора знаходимо:
h11Е4=208,3 Ом,
mз=1/h12Е4=1/0.034=29.41
Розраховуємо струм бази VТ4
ІБ4=Iк4/h21Е4 min=4 10-3/50=8 10-5 А.
Струм послідовно з'єднаних резисторів R5, R6, R7 беремо рівним 5Iб4 і визначаємо сумарний опір дільника
Rдел=Uн/Iдел=9/(5 '8 10-5)=22500 Ом.
Знаходимо опору резисторів:
R5=0.3 Rдел=0.3 '22500=6750 Ом;
R6=0.1 Rдел=0.1 22500=2 250 Ом; 7=0.6 Rдел=0.6 22500=13500 Ом.
У відповідності з рядом Е24 вибираємо резистор R5 типу MJIT - 0.125
6.8 кОм ± 5%, резистор R7 типу МЛТ - 0.125 15кОм ± 5%. Резистор R6 вибираємо СПЗ - 44 0.25Вт 2.2кОм.
Робоча напруга стабілітрона VDІ визначаємо зі співвідношення
UVDІ=0.1 Uвх mах=0.1 '14=1.4 В.
Вибираємо тип стабілітрона і виписуємо його основні параметри: стабілітрон 2С113А;
І VD1=5'10-3 А - середній струм стабілізації; VDІ=12 Ом...
