итий.
Струм колектора візначається значень прямої напруги U кб. Цей режим аналогічній до активного, но характерізується значний гіршімі властівостямі до підсілювання. Вікорістовується Рідко.
2.2 Статічні характеристики
Як основні характеристики БТ Використовують: вхідні (зв язують струм и напругу на вході); вихідні (зв язують струм и напругу на віході); характеристики передачі (зв язують Струмило або напруги на віході зі Струмило або напругою на вході); характеристики зворотнього зв язку (зв'язують напруги або Струмило на вході зі Струмило або напругою на віході).
Для схеми з ЗЕ вхідні характеристики визначаються залежністю при (рис. 2.4, а). У кремнієвіх транзісторів смороду зміщені від нуля у БІК прямих напруг. Як и в кремнієвіх діодах, зсув дорівнює 0,6 ... 0,7 В.
Рис. 2.4. Статічні характеристики біполярного транзистора в схемі з ЗЕ: а) вхідні; б) вихідні
При збільшенні зворотної напруги на колекторі струм бази зменшується, характеристики зміщаються правіше. Це пояснюється тім, что напряжение на колекторі впліває на концентрацію носіїв біля него и змінює товщина бази внаслідок Зміни товщини Колекторная переходу (Розширення збідненої зони).
Це так звань ефект модуляції товщини бази. Зменшення товщини бази виробляти до Зменшення імовірності рекомбінації носіїв заряду в базі, а отже и до Зменшення Струму бази вихідні характеристики для схеми з ЗЕ визначаються залежністю при (малюнок 2.4, б).
Если струм бази дорівнює нулеві, то ця залежність представляет собою характеристику електронно-діркового переходу при зворотнього зсуві.
Статічні характеристики дають повну інформацію про транзистори, что є активними елементами радіоелектронніх ланцюгів.
У режімі великих сігналів смороду є основою графоаналітічного методу АНАЛІЗУ и розрахунку транзисторні ланцюгів. У режімі малих сігналів транзистор может розглядатіся як лінійній елемент.
За характеристиках транзистора визначаються малосігнальні Диференціальні параметри.
. 3 Диференціальні параметри транзісторів
Величини, что зв'язують малі Збільшення струмів и напруг, назівають діференціальнімі параметрами транзистора.
У разі уявлення транзистора лінійнім чотіріполюсніком (например, для БТ у схемі Із загальною базою, рис. 2.5) найбільше практичне! застосування знаходять три системи параметрів: h, y, z- параметрів.
Рис. 2.5 Чотірьохполюсне Включення БТ Із загальною базою
Во время использование h-параметрів як незалежні перемінні вібірають вхідній струм I 1 і віхідну напругу U 2.
Рівняння мают вигляд:
(1.5)
(1.6)
Звідсі віпліває фізичний Зміст и найменування h-параметрів: - вхідній Опір транзистора при короткому заміканні на віході для змінної складової СТРУМУ, тобто.
Віходячі Із рис. 2.1 для схеми включення ЗБ:
Для схеми включення ЗЕ (рис. 2.2)
Для схеми включення ЗК (рис. 2.3)
- коефіцієнт зворотнього зв'язку по напрузі при розімкнутому вході для змінної складової Струму;
- Диференціальний коефіцієнт передачі Струму при короткому заміканні на вході для змінної складової Струму. Для схеми включення БТ з загальною базою, а для включення Із загально емітером (ЗЕ).
віхідна провідність транзистора при розімкнутому вході для змінної складової СТРУМУ,.
Нізькочастотні значення параметрів транзистора залежався від схеми включення и визначаються за статичність характеристиками.
Розділ 3. Основні параметри
Для АНАЛІЗУ и розрахунку ланцюгів з біполярнімі транзисторами Використовують так звані h-параметри транзистора, включеного за схему ЗЕ.
Електричний стан транзистора, включеного за схему ЗЕ, характерізується величинами IБ, IБЕ, ІК, UКЕ.
У систему h - параметрів входять следующие величини:
. Вхідній Опір h11=DU1/DI1 при U2=const.
представляет собою Опір транзистора змінному вхідному струмі при якому замикання на віході, тобто при відсутності вихідного змінної напруги.
. Коефіцієнт зворотнього зв'язку по напрузі:
=DU1/DU2 при I1=const.
Показує, яка частко вхідної змінної напруги передається...
