на вхід транзистора внаслідок зворотнього зв'язку в ньом.
. Коефіцієнт зусилля по Струму (коефіцієнт передачі Струму):
=DI2/DI1 при U2=const.
Показує Посилення змінного Струму транзистором в режімі роботи без НАВАНТАЖЕННЯ.
. Віхідна провідність:
=DI2/DU2 при I1=const.
представляет собою провідність для змінного Струму между віхіднімі Затискач транзистора.
Вихідний Опір Rвіх=1/h22. Для схеми Із загально емітером справедліві следующие Рівняння:
де:
Для Запобігання перегріву Колекторная переходу необходимо, щоб Потужність, что віділяється в ньом при проходженні Колекторная Струму, що не перевіщувала деякої максімальної величини:
Крім того, існують обмеження относительно колекторнної напруги: і колекторногоструму:
3.1 Режими роботи транзистора
У залежності від того, в якіх станах знаходяться переходь транзистора, розрізняють режими его роботи. Оскількі в транзісторі є 2 переходь (емітерній та Колекторная), и КОЖЕН Із них может знаходітісь в двох станах (відкрітому та Закритому), розрізняють Чотири режими роботи транзистора.
Основним є активний режим, при якому емітерній Переход знаходиться у відкрітому стані, а Колекторная - в Закритому. Транзистори, Які Працюють в активному режімі, Використовують в схемах підсілення.
Окрім активного віділяють інверсній режим, при якому емітерній Перехід закритий, а Колекторная - Відкритий, режим насічення, при якому обидвоє переходь відкриті, та режим відсічкі, при якому переходь закриті. Першів практичною математичность моделлю біполярного транзистора булу МодельЕберса-Молла.
Активний режим
Активному режиму роботи транзистора відповідає Відкритий стан емітерного переходу и закритий Колекторная Переход. У цьом режімі переходь транзистора мают різну ширину: закритий Колекторная Переход значний ширший чем Відкритий емітерній Переход.
Окрім наскрізного потоку електронів, в структурі в активному режімі протікає Інший потік, а самє, зустрічній потік дірок, что рухаються Із бази в емітер. Два зустрічніх потоки (дірок та електронів) відображають ефект рекомбінації в базі. Електронний потік створюється Електрон, Які рухаються Із емітера, однак не доходять до Колекторная переходу (як Електрон, что створюють наскрізній потік), а рекомбінують Із діркамі в базі.
Дірковій потік створюється діркамі, что надходять Із зовнішнього кола в базу для компенсації Втрати дірок внаслідок рекомбінації з Електрон. Вказані потоки створюють в ЗОВНІШНІХ колах емітера и бази додаткові СКЛАДОВІ струмів. На малюнку такоже показані потоки неосновних носіїв заряду, что створюють власний тепловий струм Колекторная переходу (потік електронів, что рухаються Із бази в колектор, та потік дірок з колектора в базу).
Наскрізній потік є Єдиним корисностям потоком носіїв в транзісторі, оскількі візначає можлівість підсілення електричних сігналів. Всі Інші потоки не беруть участия в підсіленні сигналом, и того є побічнімі. Для того щоб транзистор МАВ високий коефіцієнт підсілення, необходимо щоб побічні потоки були якомога слабші в порівнянні з корисностям наскрізнім потоком.
Інверсній режим
До емітерного переходу підводіться зворотна напряжение, а до Колекторная - пряма. Отже емітер Виконує Функції колектора, а колектор - емітера. Цей режим, як правило, не відповідає нормально умів ЕКСПЛУАТАЦІЇ транзистора.
Передача Струму при інверсному включенні значний гірша чем при нормальному. Причини цього Такі. По-перше, у зв язку Із Слабко легуванням колектора мала електронна ськладової Колекторная Струму. По-іншому, площа реального колектора значний более площади емітера. Тому на емітер потрапляючи лишь невелика частко електронів, інжектованіх колектором.
Режим насічення
У режімі насічення обидвоє переходь транзистора знаходяться у відкрітому стані. У цьом режімі Електрон и з емітера, и з колектора рухаються в базу, внаслідок чого в структурі протікають дві зустрічніх наскрізніх потоки електронів (нормальний та інверсній). Від співвідношення ціх потоків покладів направление струмів, что протікають в колах емітера та колектора.
Внаслідок Подвійного насічення бази, в ній накопічуються надлішкові Електрон, внаслідок чого посілюється їх рекомбінація з діркамі и рекомбінованій струм бази є набагато віщим, чем в активному чі інверсному режимах. У зв'язку Із насіченням бази транзистора и его переходів надлишково ...
