ево куля напівпровідніка певної кількості домішки. На второй Стадії проводитися перерозподіл домішки, загнаної в напівпровіднік на першій Стадії. [4]
Для малюнку базового, емітерного и розділового шарів, використовуются метод фотолітографії.
Фотолітографія - метод Отримання малюнку на матеріалі з скроню роздільною здатністю, широко вікорістовується в мікроелектроніці.
Для Отримання малюнку вікорістовується світло певної довжина Хвилі. Мінімальній розмір деталей МАЛЮНКИ - половина Довжина Хвилі (візначається діфракційною межею).
Фоторезист - Спеціальний материал, Який змінює свои фізико-хімічні Властивості при опроміненні світлом.
фотошаблоном - пластина, прозора для вікорістовуваного в даного процессе електромагнітного випромінювання, з малюнком, Виконання непрозорім для вікорістовуваного випромінювання барвники.
Процес фотолітографії відбувається так:
На підкладку кремнію завдаючи тонкий куля матеріалу, з которого нужно Сформувати Малюнок. На цею куля наноситися фоторезист.
Віробляється експонування через фотошаблон (контактний або проекційнім методом).
Опромінені ділянки фоторезиста змінюють свою розчінність и їх можна ВИДАЛИТИ хімічнім способом (процес травлення). Звільнені від фоторезиста ділянки теж відаляються.
Заключний стадія - відалення залишків фоторезиста.
Если после експонування стають Розчин засвічені області фоторезистом, то процес фотолітографії назівається позитивним. Інакше - негативний. [6]
Провідники Виготовляю з алюмінію, оскількі ВІН має невісоку в порівнянні собівартість, гарну провідність и має куля з оксиду.
Для даної мікросхеми оббирати пластмасовий корпус, бо в него доступна конструкція и дешева цінова категорія. Для цього я розрахував габаритні розміри корпусу и звертаючись его тіпорозмір (Корпус 2102.14-1 ГОСТ 17467-79). ! Застосування пластмасовая корпусів дозволено для ІМС использование якіх проводитися в Закритого стаціонарних пріміщеннях.
При вікорістанні пластмасового корпусу монтаж кристалу проводитися на технологічну контактну рамку, что є основною конструкцією з стрічковімі виводами під якові підклеюється Підкладка Із сіталу, на неї пріклеюється кристал напівпровідніка. После монтажу термокомпресійнім ЗВАРЮВАННЯ дротова перемічок между контактний майданчик кристалу и виводами корпусу здійснюється Попередній захист заданого Вузли краплі компаунда холодного затвердівання. После герметізації технологічна рамка відокремлюється в штампі, а виводи формуються відповідно до тіпорозміру пластмасового корпусу.
3. РОЗРАХУНКОВА ЧАСТИНА
. 1 Розрахунок діфузійніх резісторів
Вихідні дані: номінальні значення резісторів в ІМС=4,7 кОм;=1,5 кОм;=730 Ом;=2,9 кОм;=175 Ом;
Для діфузійніх резісторів Обираємо базовий кулю. Его Пітом Опір дорівнює? ? =200 Ом /?.
Ширину резісторів НЕ розраховуйся, а оббирає в залежності від заданого номіналу. Если номіналі резісторів дорівнюють: lt; 500 Ом - то оббирає ширину 60 мкм=500 - 1000 Ом - то оббирає ширину 30 мкм=1 - 2,5 кОм - то оббирає ширину 20 мкм gt; 2,5 кОм - то оббирає ширину 15 мкм
оббирати конструкцію резистора и его контактного переходу в залежності від обраної ширини резистора b (рис. 3.1)
а) б)
Малюнок 3.1 Топологія діфузійніх резісторів
а) Если b? 30 мкм, б) Если b lt; 30 мкм
Розрахунок резистора R1=4700, Ом
) оббирати ширину резистора=15 мкм
) визначавши коефіцієнт форми
) визначавши Довжину резистора
Розрахунок резистора R2=1500 Ом
) оббирати ширину резистора=20 мкм
) визначавши коефіцієнт форми
) визначавши Довжину резистора
Розрахунок резистора R3=730 Ом
) оббирати ширину резистора=30 мкм
) визначавши коефіцієнт форми
) визначавши Довжину резистора
Розрахунок резистора R4=175 Ом
) оббирати ширину резистора=60 мкм
) визначавши коефіцієнт форми
) визначавши Довжину резистора
Розрахунок резистора R5=1500 Ом
