Був обраний матеріал резистивної плівки залежно від значення питомого поверхневого опору резистивної плівки (окремо по кожній групі).
Для низькоомних резисторів - Хром ЕРХ ЧСТУ 5-30-70.
Для високоомних резисторів - Кермет К - 50С ЕТО. 0.21. 033 ТУ.
Визначимо похибка коефіцієнта форми резисторів [4]: ??
(3.1)
де: - граничне відхилення від номінального значення резистора;
- похибка відтворення питомого поверхневого опору резистивної плівки;
- температурна похибка;
- похибка обумовлена ??старінням плівки;
- похибка перехідних опорів контактів.
Значення залежить від умов напилення і матеріалу резистивної плівки і не перевищує 5%.
Температурна похибка залежить від ТКС матеріалу плівки:
(3.2)
де: - Температурний коефіцієнт опору матеріалу плівки, 1/С0;
- робочий діапазон температур, С0.
Похибка, обумовлена ??старінням плівки, викликана повільним зміною структури плівки під час її окислення. Вона залежить від матеріалу плівки та ефективності захисту.
Похибка перехідних опорів контактів залежить від технологічних умов напилення, питомого опору резистивної плівки і геометричних розмірів контактного переходу. Зазвичай=1 ... 3%.
Конфігурація резистора визначається його функціональним призначенням, номінальним значенням, питомим опором резистивної плівки, точністю, пропонованої до його виготовлення, площа на платі, відведеної під резистор, і технологічним процесом виготовлення.
Основним параметром плівкових резисторів є коефіцієнт форми:
(3.3)
де: l - довжина резистора, мм; - ширина резистора, мм.
При конструюється резистор прямокутної форми; при конструюється резистор прямокутної форми, але довжина його повинна бути менше ширини.
Висновки резисторів слід розташовувати в одному шарі, щоб їх виготовлення проводилося за допомогою однієї маски або одного фотошаблона для виключення похибки, яка може бути викликана помилками суміщення масок або фотошаблонів.
Конструктивний розрахунок резисторів прямокутної форми зводиться до визначення його довжини l і ширини b. При цьому необхідно, щоб отриманий резистор при заданому значенні опору забезпечував розсіювання заданої потужності Ррас при задоволенні необхідної точності в умовах існуючих технологічних можливостей.
Розглянемо методику розрахунку резисторів прямокутної форми Кф gt; 1. Такі резистори критичні до ширині, тому починається з визначення ширини b. Розрахункове значення ширини резистора bрасч повинно бути не менше найбільшого значення одного з трьох величин:
(3.4)
де: bтехн - мінімальна ширина резистора, обумовлена ??можливостями технологічного процесу (для заданої тонкопленочной технології техн=0,2 мм); точн - ширина резистора, обумовлена ??точністю виготовлення, мм.
(3.5)
р - мінімальна ширина резистора, при якій забезпечується задана розсіває потужність, мм:
(3.6)
За ширину резистора b приймається найближче до bрасч більшу ціле значення, кратне кроку координатної сітки, прийнятому для креслення топології.
Розрахункове значення довжини резистора lрасч визначається за формулою:
(3.7)
За довжину резистора l приймається найближче до lрасч більшу ціле значення, кратне кроку координатної сітки, прийнятому для креслення топології.
Розглянемо методику розрахунку резисторів прямокутної форми з Кф lt; 1. Такі резистори критичні до довжині, тому починається з визначення ширини l. Розрахункове значення довжина резистора lрасч повинно бути не менше найбільшого значення одного з трьох величин:
(3.8)
де: lтехн - мінімальна довжина резистора, обумовлена ??можливостями технологічного процесу (для заданої фотолітографії lтехн=0,2 мм); точн - довжина резистора, обумовлена ??точністю виготовлення, мм:
(3.9)
р - мінімальна довжина резистора, при якій забезпечується задана розсіває потужність, мм:
(3.10)
(3.11)
де: Р0доп - питома потужність, яку може розсіяти одиниця площі обраного матеріалу.
За довжину резистора l приймається найближче до lрасч більшу ціле значення, кратне кроку координатної сітки, прийнятому для креслення топології.
На практиці значення lр при КФ lt; 1 зазвичай менш lтехн і lточн. У цих випадках в якості довжини резистора вибирається максимальне з двох значень.
За ширину резистора b приймається найближче до bрасч більшу ціле значення, кратне кроку координатної сітки, прийнятому для креслення топології.
Розглянемо методика вибору форми стикування і розміру перекриття резисторів. Величина перекриття резисторів з провідника...
