Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Підсилювач потужності низької частоти

Реферат Підсилювач потужності низької частоти





.6 Розрахунок ємностей і частотних спотворень


Зробимо розрахунок конденсаторів по заданому коефіцієнту частотних спотворень на нижній частоті, рівній 40 Гц.

. Вибирається частка частотних спотворень, що припадають на конденсатори С1, С4, що не входять в ланцюг ООС.

Mn=1.2589


Mn=Mn1? Mn2? Mn3? Mn4? Mn5 * Mn6


Відведемо на С1, С2 велику частку нелінійних спотворень

Mn1=Mn2=1,07

Тоді для решти С3, С4, С5 разом отримаємо



Вибирається частка частотних спотворень, що приходять на конденсатори С3, С5, С6

Частка частотних спотворень приходять на конденсатори С4 відводиться більше.

Mn5=Mn3=1,027

Mn4=1.04

. Обчислимо значення конденсаторів


, С1=490нФ

, С2=10мкФ

, С3=18мкФ

, С5=1330мкф


Виберемо значення конденсаторів з ряду E24.

С1=470нФ

С2=10мкФ

С3=18мкФ

С5=1300мкФ

. Визначимо С4 через допоміжний коефіцієнт m



Тоді С4=234 мкФ.

Задамо ємність С4 з ряду E24 номіналів ємностей С4=220мкФ

Частотні спотворення на верхній частоті, рівній 60кГц, визначаються вибраними транзисторами і способом їх включення.

За ТЗ Мв=1,2587

. Визначимо частотні спотворення, що вносяться транзистором VT1


,


де Cmont -ємність монтажу, а Ссu- ємність переходу.

ССU=6пФ Mv1=1,00000005

.Для транзистора VT2


,=1,000000002

де,=2,028 * 10-8

,=6,38 * 10-10

,=2,22 * 10-9

=1,28

, R ekv=99,20Ом


ft2 - гранична частота транзистора, ft2=250МГц

СК2=8пФ-це ємність колекторного переходу,

. Для транзистора VT3


,=1,000022

де,=7,96 * 10-8

,=1,23 * 10-9

,=11 * 10-8

=0,83


, R ekv=4,7Ом

ft3 - гранична частота транзистора, ft2=60МГц

СК3=6пФ-це ємність колекторного переходу,

. Для транзистора VT4


,=1,0018

де,=12 * 10-8

,=5.3 * 10-8

,=4.027 * 10-8

=59

re4=0.026/Ip45=0.2Ом. rb4=111.1

, R ekv=560Ом

=11.303


.Для транзистора VT6


,=1,00099

де,=74 * 10-8

,=5,3 * 10-8

,=6,6 * 10-9

=13,8

re6=0.026/Ip45=0.032Ом. rb6=111.1Ом

, R ekv=8Ом

=8Ом


4. Розрахунок охолодження транзисторів


За довідковими даними виходить, що для розсіювання необхідної потужності на транзисторі VT6, VT7 потрібно їх поставити на радіатор.

Для розрахунку площі задають температуру навколишнього середовища

Tmах=313 K

Для гладкого радіатора площа з двох сторін


Прад=(1400 · P)/(Tпmax-Tmax-P · Rтпк)


Rтпк- тепловий опір між переходом і корпусом

P=14Вт


Тпmax=Tmax +? T


Rткр - тепловий опір між корпусом і радіатором

Rтрс - тепловий опір між середовищем і радіатором


? T=P? (Rтпк + Rткр + Rтрс)=Р? Rпс


Rпс=1,2 К/Вт - загальне тепловий опір

? T=16,4 К

Прад=651 смі

На одну сторону доводитися 325,5 смІ.

Для зменшення габаритних розмірів можна застосовувати радіатори рельєфного вигляду, так як вони за рахунок виступів отримають більшу площу, ніж пластина при тих же загальних розмірах.


5. Розрахунок температурної стабілізації підсилювача


Зробимо розрахунок температурної стабілізації для кінцевого каскаду на VT6, VT7, так як вони вносять основний внесок у збільшення струму колектора.


? Ік=(1 + в) ?? Iко + (Iб + Ікс) ?? в + в ?? Іб


Де? Iб мало змінюється з ростом температури.

? в=0,0031? в (Т1) ?? Т

? в=0,0031? 25? 20=1,55


? Ікс =? Iко (Т1)? exp ()


Де? Т=Т2-Токр=40-20=20 ° С

? в=0,0031? 25? 20=1,55


? Ікс=0.3 * 10 ^ - 3 * exp (? Т/7)=5.22 мА


? Ік=(1 + 40)? 0,003+ (0,032 + 0,0001)? 3,1=0,11 А

Знайдемо відносне зміна

Ік=1,58 А


е=(? Ік/Ік)? 100%=3%


Як видно зміна робочого струму колектора відб...


Назад | сторінка 5 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи зниження нелінійних спотворень в тракті звукової частоти
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Ємність різкого pn переходу
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом