начна частина посилення витрачається через неузгодженість опорів каскадів і неточності графічних методів розрахунку параметра h 11Е транзисторів.
Підсилювач має наступні характеристики:
K U? 800; ? f=100 ... 10000Гц; U вих max? 8В.
Список літератури
1. Войшвилло Г.В. Підсилювальні пристрої: Учеб. для вузів.- 2-е вид.- М .: Радіо і зв'язок, 1983 - 264 с.
. Остапенко Г.С. Підсилювальні пристрої: Учеб. посібник для вузів.- М .: Радіо і зв'язок, 1989. - 400 с .: ил.
. Опадчій Ю.Ф. Аналогова та цифрова електроніка (Повний курс): Учеб. для вузів.- М .: Гаряча Лінія-Телеком, 2000. - 768 с .: ил.
. Проектування підсилювальних пристроїв: Учеб. посібник/За ред. Н.В. Терпугова.- М .: Вища. школа, 1982 - 190 с .: ил.
. Довідник з напівпровідникових діодів, транзисторів і інтегральних схем./Під ренд.Н. Н. Горюнова.- М .: Енергія raquo ;, 1997. - 744 с .: ил.
. Лавриненко В.Ю. Довідник по напівпровідникових приладів.- 9-е изд., Перераб.- К .: Техніка, 1980. - 464 с .: ил.
. Резистори, конденсатори, трансформатори, дроселі, комутаційні пристрої РЕА./Под ред. М.М. Акимов, Є.П. Ващуком.- Мн .: Білорусь, 1994. - 591 с .: ил.
. Галкін В.І. Напівпровідникові прилади - 2-е изд., Перераб. і доп.- Мн .: Білорусь, 1987. - 285 с .: іл.10. Довідник з ППП.- Київ
