ння. Справа в тому, що ми ще нічого не сказали про частотної залежності поглинання випромінювання. Виявляється, що для дуже тонкої металевої плівки частка поглиненої потужності падаючого випромінювання досить велика і частотно незалежна аж до дуже високих частот, відповідних видимого світла або навіть ультрафіолетового.
Таким чином, опір тонкої надпровідної плівки в резистивном змозі швидко і з високою чутливістю реагує на електромагнітне випромінювання (зростає пропорційно потужності незалежно від його частоти в дуже широких межах). На цій основі розроблений новий нелінійний елемент, перспективний для використання в цілому ряді областей.
Висновок
Транзистор являє собою напівпровідниковий прилад, призначений для використання в пристроях, що здійснюють генерацію і посилення електричних коливань. Основою будь-якого транзистора є кристалічна пластинка напівпровідника, в якому використовуються ті чи інші властивості напівпровідникового матеріалу та електронно-доручених переходів, в результаті чого представляється можливим за допомогою слабких керуючих струмів або напруг отримувати більш потужні електричні коливання необхідного виду.
Подібно до того, як існує велика безліч різновидів діодів, відомо велике число видів і різновидів транзисторів.
Транзистори розрізняються за кількістю основних видів носіїв заряду, використовуваних при роботі приладу. Транзистори, в яких використовуються обидва види носіїв, дірки і електрони, називаються біполярними. Залежно від геометричної структури розміщення зон з різною провідністю вони можуть бути прямий (p - n - p) або зворотної провідності (n - p - n). Транзистори, у яких використовується тільки один основний носій заряду, наприклад, тільки дірки чи тільки електрони, називаються полярними
Найвідомішими і доступними є біполярні транзистори прямий (p - n - p) і зворотного (n - p - n) провідності. Менш відомі і доступні польові транзистори з каналом p і n типу.
Список використаних джерел
1. Д. А. Усанов А. В. Скрипаль: Фізичні основи наноелектроніки. Навчальний посібник для студентів факультету нано- і біомедичних технологій.-Саратов, 2013.
. Парфьонов В.В .: Квантово-розмірні структури в електроніці: транзисторні структури та клітинні автомати (елементи теорії, керівництво і завдання до лабораторних робіт). Методичний посібник для студентів фізичного факультету.- Казань, 2007.
. Пасинків В.В., Сорокін В.С .: Матеріали електронної техніки, СПб, 2003.
. Агаханян Т. М. Основи транзисторної електроніки.- М .: Енергія, 1974.
