Біполярні транзистори
Зміст
Вступ
Теоретична частина
1.Загальні Відомості
2. Принцип Дії n-p-n транзистора
3. Підсілення за помощью транзистора
3.1 Схема включення транзісторів (СБ, СК, РЄ)
3.2 Схема Із спільнім емітером (СЕ)
3.3 Схема Із спільною базою (СБ)
3.4 Схема Із суспільним колектором (СК)
4. h-параметрів
5. Вплив температури на роботу біполярного транзистора
Вступ
У 1958 р. Американські Учені Дж. Бардін і В. Браттейн создали напівпровідніковій тріод, або транзистор. Ця Подія мала величезне значення для розвітку напівпровіднікової електроніки. Транзистори могут працювати при однозначно меншій напрузі, чім лампові тріод, и НЕ є простими заміннікамі останніх: їх можна використовуват НЕ позбав для Посилення и генерації змінного Струму, альо І як ключові елєменти. Визначення "біполярній" вказує на ті, что робота транзистора пов'язана з процесами, в якіх беруться доля носії заряду двох сортів (Електрон и діркі). Визначення "біполярній" вказує на ті, что робота транзистора пов'язана з процесами, в якіх беруться доля носії заряду двох сортів (Електрон и діркі).
1. Загальні Відомості
транзисторах - Це Напівпровідникові прилади, прідатні для Посилення потужності, что мают три виводи, або больше. У транзисторах может буті різне число переходів между областями з різною електропровідністю. Найбільш пошірені транзистори з двома n-p-переходами, звані біполярнімі, оскількі їх робота засновалося на вікорістанні носіїв заряду обох знаків. Перші транзистори були Точковой, альо смороду працювать недостатньо стійко. У Данії годину виготовляють и застосовуються Виключно площінні транзистори.
Будова площинах біполярного транзистора показань схематично на мал.1
В
Мал.1 Будова площинах біполярного транзистора
Транзистор являє собою пластину германію, або кремнію, або Іншого напівпровідніка, в якій Створено три области з різною електропровідністю. Для прикладу узятій транзистор типу n-p-n, что має середню область з дірковою, а Дві крайні области - З електронною електропровідністю. Розповсюджені такоже транзистори типу p-n-p , У якіх дірковою електропровідністю володіють Дві крайні области, а середня має Електрон електропровідність.
Середня область транзистора назівається базою, одна крайня область - емітером, Інша - колектором.
Таким чином, в транзісторі є два n-p-переходь: емітерній - между емітером и базою и Колекторная - между базою и колектором. Відстань между ними має буті Дуже малою, що не більш за одініці мікрометрів, тоб область бази має буті Дуже тонкою. Це є умів хорошої роботи транзистора. Крім того, концентрація домішок в базі всегда однозначно менше, ніж У колекторі и емітері. Від бази, емітера и колектора зроблені виводи.
Для величин, что відносяться до бази, емітера и колектора, застосовують як Індекси букви "б", "е" і "до". Струм в дрота бази, емітера и колектора позначають відповідно Іб, iе, Ік. Напруга между Електроди позначають подвійнімі індексамі, Наприклад Напруга между базою и емітером Uб-е, между колектором и базою Uк-б. На умовно графічному позначенні (Мал.2) транзісторів p-n-p и n-p-n Стрілка показує умовний (від плюса до мінуса) Напруга Струму в дроті емітера при прямій напрузі на емітерному переході.
В
Мал.2 Умовне графічне позначені транзісторів
перелогових від того, в якіх станах знаходяться переходь транзистора, розрізняють режими йо роботи. Оскількі в транзісторі є два переходь (емітерній и Колекторная), и КОЖЕН з них может знаходітіся в двох станах (відкрітому и Закритому), розрізняють Чотири режими роботи транзистора. Основним режимом є активний режим, при якому емітерній Перехід знаходится у відкрітому стані, а Колекторная - у Закритому. Транзистори, что Працюють в активному режімі, Використовують у підсілювальніх схемах. Окрім активного, віділяють інверсній режим, при якому емітерній Перехід закритий, а Колекторная - Відкритий, режим насічення, при якому обоє переходь Відкрито, и режим відсічення, при якому обоє переходу закріто.Основнім є активний режим. ВІН вікорістовується в більшості підсілювачів и генераторів. Режими відсічення и насічення характерні для імпульсної роботи транзистора.
У схемах з транзисторами зазвічай утворюються два ланцюги: вхідній (керуючий) - у нього включаються джерело підсілювальніх сігналів и вихідний (керованаій) - у нього включається НАВАНТАЖЕННЯ.
2. Принцип Дії n-p-n транзистора
Розглянемо принцип роботи транзистора, на прікладі n-p-n транзистора в режімі без НАВАНТАЖЕННЯ, коли включені позбав джерела постійної жівлячої напруги E1 и E2 (мал. 3)
В
Мал.3 Схема включення n-p-n транзистора без ...
