Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Широкосмуговий підсилювач з підйомом АЧХ

Реферат Широкосмуговий підсилювач з підйомом АЧХ





ня, то коефіцієнт посилення вхідного транзистора можна взяти поменше, ніж у транзистора вихідного і предоконечного каскадів [1]. p> Електричні параметри транзистора 2Т911А:

Коефіцієнт посилення по потужності при U ке = 28В, Т до ВЈ 40 В° С, на частоті f = 1,8 ГГц при Р вих = 0,8 Вт:

G ном1, 2 = 2

Статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ при U ке = 5В, I е = 200мА (типове значення):

b = 40

Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемі з ОЕ при U ке = 12В, I до = 200мА:

f Т = 3060МГц

Ємність колекторного переходу при U кб = 28В:

З U ке = 4ПФ

Постійна часу ланцюга ОС на ВЧ при U кб = 10В, I е. = 30мА, f = 5МГц:

t з = 25пФ

Граничні експлуатаційні дані транзистора 2Т911А:

Середня розсіює потужність в динамічному режимі

Р до = 3Вт

За всіма параметрами нам підходить транзистор 2Т911А.


Підставивши у формулу (2.41) довідкові значення коефіцієнта посилення і верхньої частоти транзистора, знайдемо максимальну частоту:

,

де f ВТР - гранична частота транзистора.

Таким чином f мах = 1,8 Г— 10 9 = 2,5 ГГц

Підставивши у формулу (2.41) знайдене значення максимальної частоти і верхню частоту заданої смуги, знайдемо посилення:

В 

Знайдемо вихідний опір транзистора ( R вих ):

U кб = 55 В, I до = 400 мА

Ом.


2.5. Розрахунок предоконечного каскаду

2.5.1. Розрахунок робочої точки


У даному каскаді використовуємо транзистор КТ939, тобто такий же, як і у вихідному каскаді.

Щоб для всього підсилювального каскаду використовувалося одне і теж харчування, робоча точка для цього транзистора має таке ж напруга, але струм менше, ніж у вихідного каскаду в 'коефіцієнт посилення кінцевого каскаду 'разів.

U ке0 = 7 В,

мА.

Таким чином робоча точка: I до0 = 16,7 мА

U ке0 = 7 В

Еквівалентні схеми транзистора представлені в пункті 2.3.3.


2.5.2. Емітерна термостабилизация


Візьмемо напруга на емітер U е = 3 В.

Потужність, розсіює на R е знаходиться за формулою (2.16):

P R е = 16,7 Г— 3 = 50,1 мВт.

Е п для даної схеми знаходиться за формулою (2.17):

Е п = 3 +7 +0 = 10 В.

Розрахуємо R е , R б1 , R б2 відповідно до формулами (2.18) - (2.22)

Ом,

мА,

струм базового подільника: I д = 10 Г— I б = 1,48 мА,

Ом,

Ом.

Схема каскаду з емітерний термостабілізацією наведена на малюнку 2.7.

Знайдемо L до , виходячи з умов, що на нижній частоті смуги пропускання її опір багато більше опору навантаження для даного транзистора. У нашому випадку:

нГн.


2.5.3. Розрахунок елементів ВЧ корекції і коефіцієнта посилення


По таблиці [5] знайдемо коефіцієнти, відповідні нульового підйому АЧХ і нерівномірності В± 0,5 дБ

В В В В В 

Розрахуємо нормоване значення вихідний ємності першого транзистора ( З ВИХ1 ) за формулами (2.31). p> Тут нормуємо щодо вихідного опору вхідного транзистора ( R ВИХ1 ) і верхньої частоти.

В 

За формулами (2.34) - (2.39) знайдемо елементи корекції:

В В В В В В 

Відповідно до (2.32) Разнорміруем елементи корекції:

нГн

Ом

пФ

пФ

нГн.

Знайдемо коефіцієнт посилення предоконечного каскаду за формулою (2.40), де R вх.н - вхідний опір предоконечного транзистора, нормоване щодо вихідного опору вхідного транзистора:

В 

2.6. Розрахунок вхідного каскаду

2.6.1. Розрахунок робочої точки


Робоча точка для цього транзистора має таке ж напруга, але струм менше, ніж у предоконечного каскаду в 'коефіцієнт посилення предоконечного каскаду 'разів.


Назад | сторінка 5 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора