> U ке0 = 7 В,
мА.
Таким чином робоча точка: I до0 = 2,7 мА
U ке0 = 7 В
2.6.2. Односпрямована модель вхідного транзистора
а). Спочатку знайдемо З u ке , щоб знайти R б . p> Так як в довіднику З u ке знайдена при напрузі 28 В, а нам необхідна при 10 В, то, використовуючи формулу (2.8), отримаємо:
Ф.
Тепер знайдемо R б за формулою (2.9):
Ом.
R вх = r б = 1,5 Ом.
б). Знайдемо R вих за формулою (2.15). p> U кб = 55 В, I до = 400 мА
Ом.
в). Індуктивність входу
L б = 0,5 нГн, L е. = 0,55 нГн
L вх = L б + < i> L е = 0,5 +0,55 = 1,05 нГн
г). За формулою (2.8) розрахуємо вихідну ємність
Ф.
Коефіцієнт підсилення транзистора знаходиться за формулою (2.14), де a 0 і r е - з (2.13) і (2.10) відповідно:
, Ом
.
Т.ч. елементи односпрямованої моделі:
L вх = 1,05 нГн
R вх = 1,5 Ом
R вих = 137,5 Ом
З вих = 20 пФ
Односпрямована модель наведена на малюнку 3.6.
2.6.3. Емітерна термостабилизация
Візьмемо напруга на емітер рівним U е = 3 В.
Згідно з формулою (2.16), потужність, що розсіюється на R е дорівнює
P R е = 2,7 Г— Г— 3 = 8,1 мВт.
За формулами (2.18) - (2.22) розрахуємо R е , R б1 , R б2 :
Ом,
мкА,
струм базового подільника: I д = 10 Г— I б = 238 мкА,
Ом,
Ом.
Схема каскаду з емітерний термостабілізацією наведена на малюнку 2.7.
Аналогічно, як і для попереднього каскаду знайдемо L до :
нГн.
2.6.4. Розрахунок елементів ВЧ корекції і коефіцієнта посилення
Відповідно до таблиці 9.1 [5], для нульового підйому і з нерівномірністю АЧХ = В± 0,5 дБ:
В В В В В
Тут нормуємо щодо опору генератора ( R г ) і верхньої частоти.
В
Нормовані значення елементів знаходяться за формулами (2.34) - (2.39)
В В В В В В
По (2.32) Разнорміруем елементи корекції:
нГн
Ом
пФ
пФ
нГн.
Знайдемо коефіцієнт посилення вхідного каскаду за формулою (2.40), але тут R вх.н - вхідний опір вхідного транзистора, нормоване щодо опору генератора:
раз = 21,5 дБ.
2.7. Розрахунок розділових і блокувальних конденсаторів
Знайдемо спотворення, що вносяться розділовими і блокувальними конденсаторами [4]: ​​
дБ = 1,05 разів.
Спотворення, внесені кожним конденсатором:
В
У загальному вигляді:
, (2.42)
де f н - нижня частота, R 1 , R 2 - Обв'язують опору
В
Малюнок 2.11 - Вхідний каскад з розділовими і блокувальними конденсаторами. <В
Малюнок 2.12 - предоконечних каскад з розділовими і блокувальними конденсаторами. <В
Малюнок 2.13-Крайовий каскад з розділовими і блокувальними конденсаторами. p> З доп вибирається таким, що на нижній частоті її опір було багато менше, ніж R 2 , тобто:
(2.43)
В (2.43) підставимо чисельні значення, і знайдемо З доп :
нФ,
нФ.
Знайдемо R р1 , R р2 , R р3 , виходячи з формули:
, (2.44)
де S 210 - коефіцієнт посилення відповідного транзистора,
для вихідного каскаду R 3 = R н , а для інших двох - R 1,2 = R 2 відповідного каскаду.
Відповідно до (2.44):
для вхідного каскаду:
Ом,
для кінцевого:
Ом,
для вихідного:
<...
