/p>
А
3
Імпульсний прямий струм: найбільше миттєве значення прямого струму, виключаючи повторювані і неповторювані перехідні струми
I пр.і.
А
-
Максимально допустимий постійне зворотна напруга
U обр max
В
150
Середній пряма напруга: середня за період значення прямої напруги при заданому середньому прямому струмі
Uпр ср
В
0.3
Середній прямий струм: середня за період значення прямого струму через діод
I пр.ср
А
3
Постійний зворотний струм, обумовлений
постійним зворотним напругою
I обр
мА
1
Час зворотного відновлення: час перемикання діода з заданого прямого струму на заданий зворотне напруга від моменту проходження струму через нульове значення до моменту досягнення зворотним струмом заданого значення
T вос.обр
мкс
-
Максимально допустима частота: найбільша
частота напруги, що підводиться і імпульсів струму, при яких забезпечується надійна робота діода
f max
кГц
5
Таблиця 1.4 - Параметри діода Д242Б [4, стр.473, 474,476]
Параметр
Позначення
Одиниця
вимірювання
Дані про
параметрах
Середній прямий струм: середнє за період
значення струму через діод
I пр.ср.
А
5
Імпульсний прямий струм: найбільше миттєве значення прямого струму, виключаючи повторювані і неповторювані перехідні струми
I пр.і.
А
-
Максимально допустимий постійне зворотна напруга
U обр max
В
100
Середній пряма напруга: середня за період значення прямої напруги при заданому середньому прямому струмі
Uпр ср
В
1.5
Середній прямий струм: середня за період значення прямого струму через діод
I пр.ср
А
5
Постійний зворотний струм, обумовлений
постійним зворотним напругою
I обр
мА
3
Час зворотного відновлення: час перемикання діода з заданого прямого струму на заданий зворотне напруга від моменту проходження струму через нульове значення до моменту досягнення зворотним струмом заданого значення
T вос.обр
мкс
-
Максимально допустима частота: найбільша
частота напруги, що підводиться і імпульсів струму, при яких забезпечується надійна робота діода
f max
кГц
1.1
Вибір та обгрунтування конструктивних і технологічних матриалов
Для виготовлення напівпровідникових інтегральних схем використовують у більшості випадків пластини монокристалічного кремнію p-або n-типу провідності, забезпеченими епітаксійних і так званими "прихованими" шарами. В якості легуючих домішок, за допомогою яких змінюють провідність вихідного матеріалу пластини, застосовують сполуки бо...
