центрацією домішкових атомів. p align="justify"> Якщо в кристал кремнію вводиться домішка тривалентного елемента (наприклад, А1 або В), то домішка утворює акцепторний рівень (рис. 1.46), а бракуючий електрон може бути отриманий з валентної зони після повідомлення йому деякої енергії ЕА = ЕА - Е (перехід 2, рис. 1.46). Для домішки бору ЕА = 0,045 еВ, для А1 -0,067 еВ. Після переведення електронів основної речовини на акцепторні рівні домішкові центри стають негативними, а у валентній зоні утворюються дірки, число яких також визначається концентрацією домішки і температурою. p align="justify"> Ще один вид локальних рівнів, які не мають своїх електронів, але здатних захопити електрони з зони провідності, зображений на рис. 1.4 в. Подібні "пастки" або "рівні прилипання" можуть бути створені як домішками, так і іншими дефектами, зокрема - вакансіями. Якщо в іонному кристалі (наприклад, NaCl) у вузлі решітки відсутня негативно заряджений іон (СI), то позитивні заряди, що оточують цю вакансію, не будуть повністю компенсовані, і виникне позитивно заряджений центр, здатний захопити електрон. Залежно від глибини пастки і температури захоплений електрон через більший чи менший час знову звільняється, і це явище позначається на кінетиці нерівноважних процесів. p align="justify"> Особливою різновидом локальних рівнів є поверхневі рівні. Якщо, наприклад, адсорбовані чужорідні атоми можуть захоплювати електрони з об'єму кристала, то його поверхня заряджається негативно, а під поверхнею утворюється шар позитивного заряду. У результаті відбувається сильна зміна електричних властивостей приповерхневого шару кристала. p align="justify"> водородоподобних модель, що описує дрібні донорні або акцепторні рівні, придатна тільки у випадку кулонівського потенціалу та відповідних радіусів орбіт в основному стані, які становлять десятки міжатомних відстаней в кристалі. Цю модель не можна використовувати для оцінювання енергії іонізації домішок, що створюють глибокі рівні в забороненій зоні, так як в стає більш локалізованим *. Акцепторні рівні завглибшки в кілька десятих еВ в Ge можуть бути створені домішками ряду металів (Fe, Ni, Mn, Сі та ін.) p align="justify"> Якщо під дією тепла чи світла утворюються електронно-діркові пари, то процесу генерації пар протистоїть процес рекомбінації R. У ряді випадків переважає не безпосередній рекомбінація електронів і дірок і рекомбінація, яка відбувається за участю локальних рівнів у забороненій зоні (рис. 1.4 г). Ці рівні можуть бути створені домішкою або іншими дефектами решітки. Якщо в кристалі присутні як акцепторная, так і донорная домішки, причому, останній більше, то акцепторні рівні будуть зайняті електронами донорів. Завдяки негативному заряду такий центр буде ефективно захоплювати дірки з валентної зони (електронний перехід R1 див. рис. 1.4 г), а на звільнився рівень акцептора буде переходити електрон із зони провідності (перехід R2). При переходах R1 або R2 виділяється енергія може бути віднесена фотоном...
