Такий тип решітки мають літій, натрій, калій, рубідій, ванадій, молібден, вольфрам, ніобій, тантал, залізо та інші метали. p align="justify"> В елементарній комірці кубічної гранецентрированной решітки (рис. 1, б) знаходиться чотирнадцять атомів, які розташовані в кутах осередку і в центрі кожної грані. Цей тип решітки мають свинець, нікель, срібло, золото, мідь, алюміній, платина, кальцій. p align="justify"> В елементарній комірці гексагональної плотноупакованной решітки (рис. 1, в) міститься сімнадцять атомів, які розташовані в кутах комірки і центрах шестигранних підстав призми і три атоми в середній площині призми. Таку решітку мають магній, цинк, кадмій, реній, берилій, гафній, титан та ін
Розміри кристалічної решітки характеризуються відстанню між центрами сусідніх атомів, що у вершинах елементарних осередків, званим параметром чи періодом решітки. Кубічні грати характеризує один параметр - довжина ребра куба а, а гексагональну - два параметра а і з або їх відношення с/а. p align="justify"> У кристалах завжди є дефекти (недосконалості) будови, викликані порушенням розташування атомів у кристалічній решітці. Характер і ступінь порушення правильності кристалічного будови певним чином позначаються на властивостях металів. Дефекти кристалічної будови по геометричних ознаками поділяють на точкові, лінійні і поверхневі. p align="justify"> До точкових дефектів відносять вакансії і межузельние атоми. Відомо, що атоми перебувають у коливальному русі біля вузлів решітки. Нагрівання збільшує амплітуду цих коливань. Більшість атомів металу в даній решітці володіє однаковою енергією (середньої), однак окремі атоми мають енергію, перевершуючи середню і можуть переміщатися з одного місця в інше. Такі атоми, особливо розташовані ближче до поверхні, виходять на поверхню, а їх місце можуть зайняти атоми, що знаходяться далі від поверхні. Звільнене місце, де знаходився перемістився атом, називається вакансією (рис. 2, а). Число вакансій збільшується з підвищенням температури, при обробці тиском, опроміненні та інших видах обробки. Вакансії відіграють важливу роль у дифузійних процесах, що відбуваються в металах і сплавах. br/>В
Рис. 2 - Дефекти кристалічної решітки:
а - вакансія, б - межузельний атом.
межузельного дефекти утворюються в результаті переходу атома з вузла решітка в міжвузлів кристалічної решітки. Точкові дефекти призводять до спотворення кристалічної решітки (рис. 2, б). p align="justify"> Лінійні дефекти називаються дислокаціями. Розрізняють два види дислокацій - крайові і гвинтові. Крайові дислокація являє собою місцеве спотворення кристалічної решітки; гвинтова дислокація утворюється при неповному зрушенні кристала по площині. Дислокації утворюються в процесі кристалізації, при термічній і хіміко-термічної обробках, пластичної деформації та інших видах впливів на структуру сплавів. На властивості металів впливає не тільки щільніс...
