p>
Визначимо орієнтовну площу плати за формулою:
,
де K - коефіцієнт запасу за площею. K = 1,5. - Площі, займані усіма резисторами, конденсаторами, контактними майданчиками; - площа навісних компонентів, які не можуть бути розташовані над плівковими елементами. p> S = 30 мм2.
Вибираємо плату розміром 10х8 мм. Доцільно застосовувати підкладку з сесіталла товщиною 0,6 мм. Для захисту тонкопленочной ІС найбільш зручно застосування металоскляного корпусу 1203 (151.15-4). Завдяки цьому корпусу ГІМС є герметичною і захищеною від попадання пилу і вологи. p> 6. Конструктивні заходи захисту ІМС
Основним способом захисту ІМС від дії дестабілізуючих факторів (температури, вологості, радіації, механічних впливів) є герметизація. Її здійснюють за допомогою спеціально розроблених конструкцій корпусів, в яких розміщують ІМС. Або нанесенням захисних матеріалів безпосередньо на ІМС. p> Корпус виготовляти з металевого дна, металевої кришки, а також скляних деталей, в які упаяно металеві висновки. Дно також спаяно або скріплено зі склом. Виходячи з розмірів плати вибираємо типовий корпус. p> 7. Розрахунок показника надійності
Основним показником надійності МС є ймовірність безвідмовної роботи протягом певного проміжку часу: P (t = 1000ч) = exp (-lt), l - інтенсивність відмов.
l = nlR + l1R + mlna1n Г— a2n + l Г— lnk Г— a1na2nk + klkc Г— a1kc Г— a2kc,
де lR, lk, lnk, lkc - інтенсивність відмов резисторів, конденсаторів, навісних компонентів, контактних майданчиків:
lR = lnk = 10-9 1/ч,
lkc = 10-8 1/ч,
lk = 0,5 Г— 10-8 1/ч;
n, m, l, k - число відповідних елементів. n = 5, m = 2, l = 1, k = 17. a1 і a2 - поправочні коефіцієнти. a1R = 1,5; a1k = 2; a1nk = a1c = 1; a2R = 0,23; a2nn = a2kc = 0,2.
Тоді l = 2,3 Г— 10-81/час. Звідси P (t = 1000ч) = exp (-2,3 Г— 10-5) = 0,999977. З розрахунку видно, що надійність МС задовольняє технічним завданням. p> 8. Вибір технології виготовлення
Для формування конфігурації проводить, резистивного і діелектричного шарів, використовують різні методи. Найбільшого поширення набули масковий і фотолітографічний методи. Для виготовлення резистивних шарів будемо використовувати метод контактної маски. При виготовленні МС створюється складність отримання номіналу резистора. Точність при цьому методі становить В± 10%. Для виготовлення проводить шару, контактних майданчиків використовуємо фотолітографічний метод. Точність виготовлення В± 1%. p> Масочний метод є дешевше, ніж фотолітографічний, але не завжди задовольняє вимогам точності. Тому в більшості випадків методи формування шарів на підкладці комбінують. p> У додатку представлені основні етапи виробництва плати мікросхеми комбінованим методом.
9. Висновки
мікросхема електричний резистор конденсатор
У процесі роботи була сконструйована ГІМС під...
