gс0 = 5%; gс + = 3,15%; Gс стар = 1%. gSдоп = 20-5-3,15-1 = 10,85%> 0
Мінімальна питома ємність, для забезпечення точності виготовлення напиляного за номіналом конденсатора:
0 точн = [gSдоп/(2DL)] 2; DL = 0,01 мм;
0 точн = 680 [0,1085/0,02] 2 = 20 Г— 103 пФ/мм2.
Визначаємо, яка повинна бути питома ємність напиляного за номіналом конденсатора з урахуванням технологічних можливостей виготовлення за площею перекриття облаток і товщині діелектрика. Задамо Smin = 1мм2. br/>
С0 min = Cmin/Smin = 560/1 = 560 пФ/мм2. С0 ВЈ min {C0 min, C0 V, C0 точн}. p> C0 min = 560 пФ/мм2; C0 V = 708 пФ/мм2; C0 точн = 20000 пФ/мм2.
Вибираємо C0 min = 560 пФ/мм2.
Визначаємо яка товщина діелектрика відповідає обраній питомої ємності C0. d = 0,0885 e/C0 = 0,0885 Г— 12/68000 = 0,156 Г— 10-4 см, що цілком прийнятно для тонкопленочной технології.
Розрахунок конденсатора C1
2/C0 = 580/560 = 1 мм2.
Коефіцієнт враховує крайовий ефект:
ВЈ C2/C0 <5мм2 K = 1,3-0,06 Г— C2/C0
= 1,3-0,06 Г— 1 = 1,24.
Площа перекриття облаток: S2 = C2/C0 Г— K = 1,3 мм2.
Визначаємо геометричні розміри верхньої облатки: Kф = 1,
. 2 = BH2 = L +2 q = 1,1 +2 Г— 0,2 = 1,7 мм. br/>
Обчислюємо розміри діелектрика:
Lд2 = Bд2 = LH2 +2 f. br/>
f - розмір перекриття нижньої облатки і діелектрика: f = 0,1. p> Д2 = Bд2 = 1,5 +2 Г— 0,1 = 1,9 мм.
Площа діелектрика конденсатора: Sд2 = L Д2 Г— Bд2 = 1,92 = 3,6 мм2.
Перевірка розрахунку: 1. tg Dоб = 0,8 Г— 106
tg dраб = 0,066 +0,8 Г— 10-6 <0,03
. Робоча напруженість електричного поля Eраб не перевищує Eпр діелектрика:
раб
Eраб = Uраб/d = 0,32 Г— 106 B/см <1 Г— 106 В/см.
. Похибка активної площі конденсатора не перевищує допустиму: DL = 0,01 мм
gS раб ВЈ gS доп, Kф = 1.
; gS доп = gс-gсо - gс + - gс.ст. = 10,85%.
Умова gS раб ВЈ gS доп виконується.
4. Вибір навісних елементів
Для конструювання мікросхеми по електричної принципової схемою та аналізу завдання необхідно вибрати навісний транзистор.
Вибір проводиться за такими чинниками:
максимальний струм колектора, IK, max
максимум потужності розсіюється на колекторі транзистора PK, max
напруга, що діє на переході колектор - емітер
коефіцієнт передачі по струму h21е
діапазон робочих температур
Вибираємо транзистор КТ369А. Його параметри: IK, max = 250мА, PK, max = 15мВт, Uке = 20В, h21е = 40 Вё 200. Габаритні розміри: 0,86 х0, 86х0, 8. Маса - 0,002 р.
5. Компонування
