an> < span align = "justify"> + С м + С вх пк = 2 +4 +9 = 15 (пФ)
Опір навантаження каскаду
В
В
(мкГн)
Вихідна напруга вхідного каскаду
В
Амплітуда колекторного струму каскаду
=
Постійний струм транзистора VT3
3
В
Базовий струм
В
. Виходячи із значення граничної частоти вибираємо транзистор VT1 і VT2 диференціального підсилювача npn типу 2ТС398А
В В В В В В
Високочастотне значення опору бази
В
Середнє значення параметра
В
Диференціальний опір переходу база-емітер
В
Крутизна транзистора VT1
В
Коефіцієнт посилення вхідного каскаду
В
Вхідний опір каскаду
В
Вхідна ємність підсилювального плеча ДУ
В
Гранична частота крутизни розрахованого каскаду
В В
Стабилитрон VD - КС147А
В В В
Опір резисторів R1 і R3
В В
Опір токозадающего резистора R2 (
В
Враховуючи, що
Для R4
В
Результуючий коефіцієнт посилення
В
Регулятор посилення
Максимальне значення регулятора посилення (мал. 5)
D = 17.5 (дБ) (дБ)
В
Генератор стабільного струму вхідного каскаду.
В
Схема ГСТ наведена на малюнку 6. Токи ГСТ. Для ГСТ вибираємо збірку транзисторів КТС395А. <В
Середнє значення параметра
В
Напруга
Токи бази транзисторів VT2 і VT3
В
Ток
Опір резистора
В
З умови опір резистора
Опір резистора
Розділовий конденсатор.
В
R0 = 5
Вхідний опір підсилювача
В
Ємність конденсатора
В
Висновок
В ході даної курсової роботи відповідно до технічного завдання був спроектований імпульсний підсилювач. Так як за технічним завданням коефіцієнт посилення виявився рівним 925, обійшлися трьома каскадами: вхідним, крайовим і проміжним. Розрахунок каскадів вели з урахуванням статичних характеристик транзистора. br/>
Список використаної літератури
. Павлов В.М., Ногін В.Н. Схемотехніка аналогових електронних пристроїв: підручник для вузів. ...
