ведеться на єдіній дозволеній частоті 13,56 Мгц, что перебуває в діапазоні радіозв'язку. Тому іноді ВЧ розпілення назівають радіочастотнім. p> реактивністю розпілення застосовують для нанесення плівок хімічніх Сполука (оксидів, нітрідів). Необхідну хімічну Сполука одержують, підбіраючі материал. При цьом методі в Робочий камеру в процесі розпілення вводять дозованних кількість так званні реактивних (хімічно активних) газів. Причому для нанесення плівок оксидів и нітрідів у робочий газ - аргон - додаються відповідно Кисень и азот. Основними умів при одержанні необхідніх Сполука є ретельне Очищення реагентів и відсутність натікання, а такоже в камері.
В
Малюнок 4. Схеми високочастотні розпілення при негативному (а) i позитивному (б) напівперіодах напруги: 7 - екран, 2 - катод, 3 - іоні, 4 - плазма, 5 - Електрон, б - молекули
Недолік реактивного розпілення - можлівість осадженим Сполука на катоді, что істотно зменшує ШВИДКІСТЬ зростанню плівкі.
При реактивному розпіленні Реакції могут протікаті як на мішені, так и в зростаючій плівці, что поклади від СПІВВІДНОШЕНЬ реактивного газу й аргону. Во время відсутності аргону Реакції відбуваються на мішені. При цьом розряд протікає в'януло, ТОМУ ЩО більшість атомів реактивного газу вітрачається на Утворення на поверхні мішені Сполука, Які перешкоджають розпіленню. Щоб реактівні Процеси проходили на підкладці, кількість реактивного газу не винних перевіщуваті 10%; Інше становіть аргон.
При реактивному розпіленні кремнію Кисень, что напускається в РОБОЧЕГО камеру, взаємодіє з атомами, что конденсують на поверхні підкладки, кремнію, у результаті чого утворена плівка SiO2. p> При нанесенні реактивністю розпіленням діелектрічніх плівок нітріду кремнію Si3N4 відбувається аналогічній процес. У РОБОЧЕГО камеру напускають ретельно осушених и очищень від кисни аргон з добавкою азоту. Іоні ціх газів, бомбардуючі кремнієвій катод, вібівають Із нього атоми кремнію й на підкладці внаслідок Великої хімічної актівності іонізованіх атомів азоту утворен плівка нітріду кремнію Si3N4, что відрізняється скроню хімічною стійкістю.
Тому що умови Реакції при нанесенні діелектрічніх плівок істотно залежався від сталості в робочому газі процентного вмісту реактивного газу, что напускається, звітність, суворо стежіті за его подачі. Напуск газів у робочому камеру звичайна роблять двома способами:
уводящим Обидва газов (аргон и реактивний) з магістралей або балонів, Контролюючим витрат реактивного газу мікровітратоміром и підтрімуючі Постійний ТИСК;
уводящим заздалегідь в підготовлену Сполука РОБОЧЕГО суміш газів з резервуара.
ЛІТЕРАТУРА
1. Черняєв В.Н. Технологія виробництва інтегральніх мікросхем и мікропроцесорів. - К., 2003
2. Технологія НВІС. У 2 кн. - К., 2006
3. Готра З.Ю. Технологія мікроелектронніх прістроїв. Довідник - К., .2001
4. Достанко А.П., баранів В.В., Шаталов...
