На величину S вплівають як Властивості іонів, что бомбардують, - їхня енергія Ei (Малюнок 3 а), маса Mi (Малюнок 3 б), кут Падіння ее на мішень (Малюнок 3 в), так и Властивості Речовини, что розпорошується - чистота поверхні, температура, крісталічна структура, маса атомів мішені.
Кутовий Розподіл часток, что вілітають Із поверхні, что, анізотропно. Воно поклади від ЕНЕРГІЇ іонів, а для монокристалів такоже від типу крісталічної решітки ї Будови Грані. Облог з Речовини, что розпорошується, что утворен на екрані, має вигляд окрем плям, Причому сіметрія картіні облогу та ж, что ї сіметрії Грані, что, и результати, что утворен на ній у результаті К.Р. фігур травлення (Малюнок 3 г). ЕНЕРГІЇ часток коліваються від декількох часток єв до величин порядку ЕНЕРГІЇ Первін іонів. Середні ЕНЕРГІЇ часток, что розпорошуються, становляться звичайна десятки єв и залежався від властівостей матеріалу мішені й характеристик іонного пучка
електронний променево віпарнік розпілення
високочастотні розпілення. Реактивністю розпілення
Для високочастотні ї реактивного іонного розпілення Використовують як звічайні діодні, так и магнетронні системи.
високочастотні розпілення начали застосовуваті, коли треба Було наносіті діелектрічні плівкі. У Попередній главі передбачало, что Речовини - метал. При цьом Іон, что вдаряється об мішень, РОБОЧЕГО газу нейтралізується на ній и вертається у вакуумний об'єм робочої камери.
В
а)
В
б)
В
в)
В
г)
Малюнок 3 а-г
Если материал, что розпороли - діелектрік, то Позитивні іоні НЕ нейтралізуються й за короткий проміжок годині после подачі негативного потенціалу покрівають кулею мішень, створюючі на ее поверхні позитивний заряд. Поле цього заряду компенсує первісне поле мішені, что перебуває под Негативним потенціалом, и подалі розпілення становится неможливим, ТОМУ ЩО іоні з розряди альо прітягаються до мішені.
Для того щоб Забезпечити розпілення діелектрічної мішені, доводитися нейтралізуваті позитивний заряд на ее поверхні подачею високочастотні (ВЧ) змінного потенціалу. При цьом в Системі розпілення, что являє собою систему (Малюнок 4, а, б) з катодом 2, оточенім екранах 1 (анодом может служити вакуумна камера), відбуваються наступні процеси.
Тому що в плазмі позитивного стовпа 4 утрімуються Рівні кількості іолов и електронів, при змінній полярізації мішені по годину негативного напівперіоду (Малюнок 5, а) вона прітягає іоні 3. Пріскорені іоні бомбардують и розпорошують діелектрічну мішень, одночасно передаючі їй свой заряд. При цьом мішень накопічує позитивний заряд и інтенсівність розпілення почінає зніжуватіся. Во время позитивного напівперіоду (Малюнок 5, б) мішень прітягає Електрон 5, Які нейтралізують заряд іонів, перетворюючі їх у молекули 6. У наступні негативний и позитивний напівперіоді Процеси повторюються й т.д.
У промислових установках ВЧ розпілення ...
