1 випаровується речовина 2 осідає на підкладку 3 або на заслінку 4, контролюючу початок і закінчення осадження матеріалу. Підкладка підігрівається за допомогою нагрівача 5. Довжина вільного пробігу атомів испаряемого речовини у вакуумі повинна перевищувати відстань між випарником і підкладкою. br/>В
Малюнок 1.9 - Подколпачное пристрій установки термічного випаровування у вакуумі
Під час випаровування контролюються температура підкладки, температура випарника, швидкість конденсації испаряемого речовини, товщина плівок, тиск залишкових газів і т.д. Використання В«каруселіВ» підкладок забезпечує одночасну обробку декількох підкладок (від 6 до 150). Для збільшення рівномірності і одночасного нанесення матеріалу на обидві сторони підкладки розроблені системи обертання підкладок по 2-3-м осях. Підкладки піддаються в вакуумних установках термічній обробці (нагрівання до 500 В° С) і очищенні в тліючому розряді (при тиску 13 ... 1Па), що дозволяє отримувати плівки з поліпшеною адгезією. Методом вакуумного випаровування отримують струмопровідні, діелектричні і резистивні шари. p align="justify"> Наступним етапом у формуванні топології є фотолітографія. Літографія - процес, спрямований на створення на поверхні підкладки захисного (резистивного) рельєфного зображення необхідної конфігурації. Літографічний процес включає в себе три основних операції: нанесення на підкладку чутливого до випромінювання речовини - резіста та сушка; експонування резіста шляхом впливу на нього актинічного випромінюванням (ультрафіолетове випромінювання); прояв прихованого зображення шляхом обробки в проявителях та отримання резистивного рельєфу. При виготовленні ГІС найбільш широко застосовується контактна фотолітографія. За допомогою фотолитографических процесів формують захисне рельєфне зображення схеми з подальшим перенесенням зображення на підкладку. p align="justify"> Перш ніж приступити до фотолітографічним операціями, необхідно виготовити фотоорігінал і фотошаблон. За допомогою спеціального обладнання в залежності від типу використовуваного фоторезиста виготовляють позитивний чи негативний фотошаблон. p align="justify"> Дія актинічного ультрафіолетового випромінювання викликає в фоторезисте фотохімічні процеси, які можуть призвести до підвищення розчинності експонованого ділянки (позитивні фоторезисти) або до зменшення розчинності експонованого ділянки (негативні фоторезисти). br/>В
Малюнок 1.10 - Схематичне зображення процесу експонування фоторезиста
На підкладку 1 нанесений шар фоторезиста 2, через фотошаблон 4 фоторезист підданий дії випромінювання. У опромінених областях 3 негативного фоторезиста (Малюнок 1.10 а) відбувається реакція фотополімеризації. У результаті прояву на підкладці залишається рельєфне зображення 5, що володіє резистивними властивостями. На малюнку 1.10 б зображено процес експонування позитивного фоторезиста, в опромінених областях 3 якого...
