причин. По-перше, для того щоб схема мала властивостями системи із зосередженими параметрами геометричні розміри елементів повинні бути багато менше довжини хвилі, а діапазон СВЧ включає в себе сигнали з довжиною хвилі від 1 до 10 см. Отже, дискретні елементи будуть представляти собою сверхмалі конденсатори і відрізки дроту. По-друге, можливе виготовлення елементів з електричними параметрами, відповідними стандартним рядам, які регламентовані ГОСТом 28884-90 В«Ряди переважних значень для резисторів і конденсаторівВ». По-третє, виготовлення дискретних елементів такого розміру неминуче тягне за собою великий розкид в електричних параметрах, що негативно позначається на характеристиці пристрою. По-четверте, виготовлення систем на дискретних елементах передбачає ручну збірку, що так само чинить негативний вплив зокрема на параметри елементів і на характеристики пристрою в цілому. Тому ЧФ в діапазоні НВЧ реалізують у Полосковим вигляді. p align="justify"> На даний момент в більшості випадків реалізація фільтрів діапазону НВЧ здійснюється у вигляді гібридних інтегральних схем (ГІС). В абсолютній більшості випадків ГІС можуть мати або полоськовиє, або коаксіальні висновки, рідше - висновки у вигляді прямокутних хвилеводів. ГІС з Полосковим висновками (ПВ) виглядає наступним чином (Малюнок 1.8). <В
Малюнок 1.8 - ГІС
Цифрі 1 відповідає інтегральний елемент, цифрі 2 - дискретний мікротранзісторов, цифрі 3 - місця зварювання дискретних мікроелементів, цифрі 4 - одиночний мікротранзісторов, цифрі 5 - мікроконденсаторів, цифрі 6 - ПВ, цифрі 7 - коаксіальний висновок. p align="justify"> Несучою конструкцією ГІС з ПВ є плата з діелектрика (можливе використання органічних або неорганічних діелектриків), найчастіше використовуються неорганічні діелектрики, зокрема, кераміка на основі оксиду алюмінію - поликор (діелектрична проникність - 9.8; тангенс кута діелектричних втрат - 0,0001). Кераміка відрізняється високою механічною міцністю, твердістю, стабільністю розмірів в часі і при впливі технологічних процесів виготовлення полоськових пристроїв (вплив кислот, лугів, розчинників), допускається вплив високої температури 1300 В° С при технологічних процесах, діапазон робочих температур - 60 ... +700 В° С . На одній або на обох поверхнях плати методами електровакуумного напилювання, фотолітографії й гальваніки сформовані топології провідних і резистивних шарів. [1]
Вакуумна технологія забезпечує отримання плівок із заданими електрофізичними властивостями і гарну адгезію. Суть методу термічного випаровування у вакуумі полягає в тому, що при температурі, коли тиск власних парів испаряемого речовини значно перевищує тиск залишкових газів, а теплова енергія перевищує силу зчеплення між атомами, відбувається термічне випаровування матеріалу. При цьому в бік підкладки направляється прямолінійний молекулярний потік испаряемого речовини. p align="justify"> На малюнку 1.9 з випарника ...
