Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Технологія виготовлення плат напівпровідникових інтегральних мікросхем

Реферат Технологія виготовлення плат напівпровідникових інтегральних мікросхем





p align="justify"> Кількість світяться точок, менше 10

Високі вимоги по домішках і механічним часткам пред'являються до деионизованной воді. У таблиці 2 наведені виписки з керівного матеріалу міжнародної асоціації SEMI із зазначенням рекомендованих параметрів надчистої води для виробництва напівпровідникових інтегральних схем з мінімальним розміром елемента 0,8-1,2 мкм. Відповідна індексація рідких реагентів за стандартами SEMI записується як SEMI C7. p align="justify"> Значення параметра питомої електричного опору води має бути близько до теоретичної величиною 18,2 МОм В· см.


Таблиця 2 - Рекомендовані параметри деионизованной води, використовуваної для процесів напівпровідникової технології

Зміст окислюється органіки, ppb <10Содержаніе важких металів, ppb <3Частіц/літр 0,1-0,2 U 0,2-0,3 U 0,3-0,5 U> 0,5 U < ; 1500 <800 <50 <1Бактеріі/100мл <5SiO 2 3Содержаніе іонів, ppb Na + K + Cl - Br - NO < span align = "justify"> 3 - SO 4 2 - Загальна кількість іонів, ppb 0,025 0,05 0,025 0,05 0,05 0,2 <0.2Сухой залишок, ppm < 0,05

Крім параметрів, зазначених в таблиці, в рекомендаціях SEMI наведено дані по наявності слідів ряду металів у воді. Аналіз проводиться на утримання наступних металів: Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, B, Al, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb. p align="justify"> Для води градації SEMI C7 для всіх без винятку зазначених елементів допустима концентрація слідів лежить в межах від 0,001 до 0,005 ppb.

Рівень чистоти рідких хімічних реактивів, що застосовуються у виробництві інтегральних схем, визначається серією міжнародних стандартів і має різні градації відповідно до рівня складності інтегральних схем.

В«Grade 2В» має позначення стандарту, що починається з символів SEMI C7. Реактиви, мають рівень чистоти В«Grade 2В», використовуються при виготовленні інтегральних схем з проектними нормами в діапазоні 0,8-1,2 мкм, що відповідає вимозі завдання. У реактивах градації В«Grade 2В» контролюються сторонні частинки розміром 0,5 мкм і вище. Практично у всій номенклатурі реактивів максимальна норма - 25 частинок в 1 мл реактиву. У специфікаціях на такі реактиви зміст слідів металів вказується 5-10 ppb. p align="justify"> Окрім стандартів для хімічних реактивів підвищеної чистоти розроблені специфікації у вигляді керівних матеріалів.

Відповідно до них сформовані три рівня (ярусу) вимог до чистоти: A, B, C (у англійс...


Назад | сторінка 5 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Історія появи напівпровідникових інтегральних схем
  • Реферат на тему: Історія появи напівпровідникових інтегральних схем
  • Реферат на тему: Використання двоступінчастого зворотного осмосу для отримання води для ін&# ...
  • Реферат на тему: Витяг хрому з води, використовуваної в градирнях теплоелектростанцій
  • Реферат на тему: Кондиціювання води в енергетіці. Содування в підготовці додаткової води те ...