Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Технологічні процеси виготовлення мікросхем

Реферат Технологічні процеси виготовлення мікросхем





= (5-0,1)/8000 = 0,00612 = 6,12 мА


Низька напруга на колекторі транзистора VT3 (і VT5) відповідає логічному нулю на виході схеми. Через колектор транзистора VT3 протікає струм

К3 = I 3 + I вих = 0,00612 +0,001 = 0,00712 = 7,12 мА


Порівняємо струми I Б3 В· B і I К3 .

Б3 В· B = 0,537 В· 10 -3 В· 50 = 26,85 В· 10 -3 = 26,85 мА


Так як I Б3 В· B > I К3 , то дійсно транзистор знаходиться в режимі насичення.

При вхідний комбінації В«1110В» схема працюватиме аналогічно варіанту В«1101В», так як емітери транзистора VT4 однакові і рівнозначні.

Розрахуємо потужності, споживані мікросхемою для кожної комбінації. Розрахунок проведемо за формулою


P = E В· (I 1 + I 2 + I 3 + I 4 ).


Для першої комбінації P = 5 В· (0,37 +0,612 +0,525 +0,04) В· 10 -3 В· 5 = 7,735 В· 10 -3 Вт = 7,735 мВт

Для другої комбінації P = 5 В· (0,42 +0,537 +0,525 +6,12) В· 10 -3 В· 5 = 38,01 В· 10 -3 Вт = 38,01 мВт

Для третьої комбінації P = 5 В· (0,37 +0,612 +0,525 +0,04) В· 10 -3 В· 5 = 7,735 В· 10 -3 Вт = 7,735 мВт


Таблиця 1 - Значення струмів і потужностей, отриманих в результаті розрахунків

Вхідна комбінаціяТокі, мАПотребляемая потужність, мВтВх 1вх 2вх 3В...


Назад | сторінка 5 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Вивчення властивостей гум із застосуванням комбінації каучуку Therban AT 06 ...
  • Реферат на тему: Виготовлення біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Технологічний процес виготовлення радіатора потужного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом