вх1 = U вх4 = U 0 = 0,1 В.
Ток протікає через перехід Б-Е1 транзистора VT1. Напруга, згідно запропонованої моделі, одно 0,7 В. Отже потенціал бази транзистора VT1 (точка A) дорівнює
A = U 0 + U БЕ2 = 0,1 +0,7 = 0,8 В
Перехід база-емітер Б-Е2 знаходиться під зворотною напругою, так як потенціал бази нижче, ніж потенціал емітерів на величину 0,8-3 = -2,2 В. З цього через цей перехід протікає тільки зворотний струм. Струм в правій гілці буде відсутній, так як для того щоб він протікав у точці А потрібно потенціал рівний
БК1 + U БЕ2 = 0,6 +0,7 = 1,3 В
Отже, транзистор VT2 буде закрито. Знаходимо струм I 1
1 = (EU A )/R 1 = (5-0,8)/10.10 3 = 0,00042 = 0,42 мА
Розрахуємо величини струмів I 2 і I 4 , що протікають через резистори R2 і R4. Так як транзистор VT2 закритий, то через R2 протікає струм бази транзистора VT3, транзистор відкритий, і напруга на його базі буде одно U Б3 = 0,7 В. Знаходимо струм I 2 = I Б3.
2 = (EU Б3 )/R 2 = (5-0,7)/8000 = 0,000537 = 0,537 мА
Зауважимо, що транзистор VT5 при цьому закритий, так як виходячи з розрахунків наведених вище, при різних вхідних рівнях (1 і 0, або 0 і 1) на емітера транзистора VT4, транзистор VT5 закритий.
Припустимо, що транзистор VT3 знаходиться в режимі насичення. За умовою напруга відкритого транзистора U КЕ3 = U Вих = 0,1 В, тоді
4 = (EU КЕ3 )/R 4 ...
