ж НЕ настiлькі актуальна, потім на внутрішню можна досягті значної щiльностi упакування.
.3.1 Схемотехнiчній Розгляд роботи ОЕТ
ОЕТ можна назваті фундаментальним Винаходи з Використання зарядовими ефектiв (кулонiвської блокади). Виготовляють ЦІ структурованих з використаних фото-i електроннопроменевої лiтографiї, плазмовими сухим травленням i методу Кутового напилення. Схематично зображення конструкцiї ОЕТ показань на малюнку 1.9. Один провiднік (острiвцевій електрод) зв язаний iз двома масивною електрода (джерело i стiк) невелика Тунельна контактами, а електрод затвору ємнiснім способом з єднаній з острiвцевім електродом.
Напруга затвору на ОЕТ регулює провiднiсть через Обидва контакти через змiну електростатічного потенцiалу острiвцевого електрода. Его еквiвалентна схема показана на рис. 1.10: острiвцевій електрод з єднаній помощью двох Тунельна контактiв з генератором напруги V, что i Забезпечує протiкання Струму. Острiвцевій електрод, крiм того, ємнiсно зв язаний з електродом затвору, через Який подається Напруга Vg. C1 i C2 - ємностi двох Тунельна контактiв, через якi тече струм, а Cg - ємнiсть переходу затвор - Острiв; Q1, Q2 i Qg-вiдповiднi заряди; N1 i N2 - число електронiв, что проходити через КОЖЕН тунельний перехiд у Напрямки стрiлок.
Рис.1.9 збiрка ОЕТ. Зовнiшнi електроди Виготовляю у виглядi олiвцiв, Укладення на пiдкладку. Потiм кiнчікі олiвцiв окіслюваліся для создания iзолюючої плiвкі. Острiвцевій електрод переносівся ї укладається поверх окисного шару на кiнцях олiвцiв. Конструктивно це являє собою два точкових Тунельна контакти.
Рис.10. Еквiвалентна електрична схема ОЕТ
можливiсть тунелювання покладів вiд того, збiльшується чі зменшується Вiльна Енергiя ОЕТ пiд годину тунелювання. Если стан системи з меншими вiльною енергiєю Iснує, то тунелювання можливе. Умова Заборона (кулонiвською блокади) тунелювання в контактi 1 Полягає в тому, что при цьом Вiльна Енергiя збiльшити. Ця Умова может буті записана як
(1.8)
де внутрiшній заряд на гранулi візначаєтсья як
(1.9)
У такий же спосiб запісується Умова Заборона кулонiвською блокадою тунелювання через контакт 2:
(1.10)
Кулонiвська блокада ефективна, коли обідвi нерiвностi (1.8) i (1.10) віконуються. Рис. 1.11 показує кулонiвську дiаграму блокади (кулонiвській Дiамант).
Рис. 1.11. Дiаграма ОЕТ кулонiвській Дiамант
Кулонiвська блокада вiдповiдає заштріхованiй частинi Дiамант (ромба). Тому при параметрах ОЕТ, что вiдповiдають точцi А на рис. 1.11, струм протiкаті НЕ может. При збiльшенні напруги затвора Vg, значення параметрiв змiщуються вiд т. А до т. B, кулонiвська блокада тунельного переходу 2 прорівається i один електрон тунелює вiд стоку до гранульова (острiвцевого електроду) (N2? N2 + 1). Если нерiвнiсть F (N1, N2 + 1)> F (N1 + 1; N2 + 1) віконується, тунелювання через 1 можливе. Отже, струм протiкає при напрузi затвора, что вiдповiдає т. B. Величина заряду на електродi затвора, яка необхiдно для включення Струму, может буті менше заряду електрона | e |. Тому структура, зображена на рис. 1.10, i назівається од...
