ноелектроннім транзистором (ОЕТ).
Рис. 1.12a є Розширене рис. 1.11 по горізонтальної осi.
Рис. 1.12. Кулонiвськi осціляцiї: а - кулонiвській Дiамант: електронне тунелювання блокується в режімi очiкування, б - число надлишково електронiв на острiвцевому електродi, с - кондактанс (провiднiсть) ОЕТ.
При змiнi напруги затвора Vg провiднiсть змiнюється перiодічно, як показано на рис. 1.12в. Це Явище назівають кулонiвськімі осціляцiямі. У областi нульової провiдностi число електронiв N на острiвцевому електродi фiксоване. Максимумів провiдностi (кондактанс)вiдповiдає схiдчаста змiна N, як показано на рис. 1.12б. Яскраве проявити кулонiвськіх осціляцiй є схiдчасте збiльшення числа електронiв на островi.
.4 Особливості ВАХ одноелектронніх пріладів
Особливості вольт-амперної характеристики демонструє експеримент, в якому зібрана конструкцiй з двох Тунельна переходiв, Складається з плiвкі Au (111) з нанесенням дiелектріком HS (CH2) 8SH товщина ~ 1 нм i дiелектрічною сталі? ? 3, на якiй формуються малi кластери золота, форма якіх близьким до сферічної. ВОЛЬФРАМОВИХ голка (малої кривизни поверхнi) тунельного мiкроскопа Покривало плiвкою Au товщина пріблізно 102 нм. За вімiряною залежнiстю I (V) в якостi параметрiв пiдгонкі пiдiбранi ємностi, тунельнi опори переходiв i Залишкова (дробові) заряд Q0 гранульова.
В експериментальних залежних I (V) можна відiліті наступнi характернi особлівостi:
) ширина струмової щiліні пріблізно пропорцiйна зворотнього радiусам диска i сфері, что НЕ дозволяє однозначно Встановити ее класичне або квантова походження. З iншого боку, на ВАХ діскiв дiаметром 2,5 i 3,5 нм крiм струмової щiліні можна чiтко розрiзніті сходинки квантових сходiв;
) ширина щiліні для диска дiаметром 3,5 нм зi змiною вiдстанi колектор-кластер (змiною фракцiї напруги) при фiксованiй вiдстанi емiтер-кластер змiнювалась немонотонно (рис. 1.13);
) струмового щiліна для диска радiусом 4 нм при збiльшеннi температури вiд 5 К до 77 К зменшується пріблізно на 30%;
) для структур на діскоподiбніх кластерах має мiсце асіметрiя струмової щiліні по напрузi, тодi як для структур на Сферичність кластерах вольт-ампернi характеристики практично сіметрічнi.
Рис. 1.13. Експеріментальнi вольт-ампернi характеристики структур на діскоподiбніх кластерах золота при рiзних значеннях вiдстанi кластер - колектор dc (а) i рiзних дiаметрах кластера (б)
На рис. 1.14 представлена ??ВАХ структур на Сферичність кластерi (Au / AuN=40/Au). Перший стрибок Струму на зворотнiй гiлцi вольт-амперної хара-ктерістікі вінікає при пороговiй напрузi V=V0-i візначається стрибки?? 0 (V), Який візначається змiною? Nc (V) (ШВИДКІСТЬ переходу електронів з колектора на гранулу). При напрузi V=V0-такоже стрібкоподiбно змiнює свое Значення залежнiсть P - 1 (V) (ймовірність знаходження n надлишково електронiвна острiвцi), прот оскiльки? N - 1 (V0-)=0, змiна ймовiрностi P - 1 (V) в цiй точцi на струм НЕ впліває. Наступний стрибок Струму при напрузi V=V1-зумовленості змiною ймовiрностi P +1.
Рис. 1.14. ВАХ для структур на Сферичність кластерах Au/Au40 / Au. Значення?? N (V) наведенi в Одиниця Гe; ...
