яться пріскорені випробування при високих затворну Зсув, и іноді - при підвіщеніх температурах. Адекватність таких випробувань дотепер ПОВНЕ мірою не встановлено, як и нез'ясованим до кінця залішається питання про мікроскопічній Механізм Тимчасового пробою. Ясно Тільки, что Пробій розвівається в результаті довгострокового процесів «зношування» (wearout) оксиду в умів електричного НАВАНТАЖЕННЯ, Які, Можливо, Варто відокремлюваті від процесів старіння (aging), что відбуваються просто при трівалому зберіганні. Зношування є кумулятивним процесом и корелює з ПОВНЕ зарядом, что протікає через окисел за годину електричного НАВАНТАЖЕННЯ. Зокрема, статистична залежність Частки зразків, что відмовілі, у партії як функція полного заряду, что пройшов через окисел, візначається розподілом Вейбулла. Вважається, что Процеси зношування при ЕЛЕКТРИЧНА навантаженні віражаються в нагромадженні якіх дефектів, ШВИДКІСТЬ Утворення якіх візначається або ЕЛЕКТРИЧНА полем (Е-моделі), або Струмило, что протікає через окисел (1 / Е - МОДЕЛІ) [17].
Температурна нестабільність напруги зворотнього Зсув вінікає Тільки в pMOSпріладах, у якіх спостерігається підвіщена температура Із за прікладеної напруги зворотнього Зсув на затвор. Деградація відбувається в области підзатворного діелектріка, дозволяючі Електрон и діркам буті пійманімі в пастку. Зворотнього зсув управляється меншим ЕЛЕКТРИЧНА полем, чім інжекція гарячих носіїв, что Робить ее больше істотною погрозити в технологіях з малими розмірамі ЕЛЕМЕНТІВ, у якіх Збільшення електричних полів вікорістають у сполученні з меншими довжина затвора. Область впліву пасток Утворення NBTI віявляється більш віраж у більш тонких окислах [12-13; 10].
Ефект NBTI проявляється тоді, коли в процесі роботи ІС pмоп транзистор Повністю відкрівається ї відбувається зарядка навантажувальної Ємності. Тому що при цьом транзистор зміщеній негативною напругою затвор-джерело, ефект здобувши Назву" температурна нестабільність при негативному зсуві».
Ефект HCI проявляється Тільки в моменти перемикань, тоді як NBTI впліває на схему однозначно довше - поки на затвор pмоп транзистора не якщо Поданєв замікаючій сигнал. При цьом схема перебуває в статичному стані, и ніякіх перемикань НЕ відбувається. NBTI в основному впліває на pмоп транзистори, як правило пріводячі до Зміни їхньої граничної напруги (Vth) пріблізно на 50 мв за 10-літній Термін служби, тоб пріблізно на 25-30%.
Колі на затвор pМОП транзистора Поданєв зворотнього зсув (Vgs=- Vdd), на границі підзатворного оксиду й каналу відбувається розпад зв'язків Si-H, что спричиняє генерацію Поверхнево пасток. ШВИДКІСТЬ генерації таких пасток зростає з ростом температури, а такоже при збільшенні годині знаходження транзистора в режімі зворотнього Зсув. Поверхневі пастки призводять до зростання граничної напруги (| Vth |) pмоп транзисторів. Це, у свою черго, приводити до Збільшення затримки схеми, І, коли деградація затримки досягає певної Межі, схема перестає задовольняти Тимчасова ОБМЕЖЕНОЮ. У цілому, на частко NBTI прихід?? Ть около 20% погіршення швідкодії й, у гіршіх випадка, функціональніх збоїв у работе схеми. Однак експериментально доведено, что коли транзистор закрівається, кількість поверхнево пасток почінає скорочуватіся. Отже, Вплив NBTI на pмоп транзистор поклади від годині, проведеного їм у режімі перенапругі [22].
Інжекція гарячих носіїв...
