вінікає як в nMOS так й в pMOS прилаштувався підданіх напрузі Зсув на стоці. Високі електричної поля збуджуються носії (Електрон або діркі), Які інжекцюют (пронікають) в область підзатворного діелектріка (рис. 5). Як ї у випадка NBTI, послаблень підзатворній діелектрік может з більшою ймовірністю захопіті Електрон або діркі, віклікаючі Зміни в гранічній напрузі, что у свою черго приводити до Зміни в субпорового Струму виток. Імовірність HCI збільшується Зі збільшенням напруги Зсув и є Переважно механізмом при більш низьких температурах напруги [14, 10]. Тому, пошкодженню від гарячих носіїв, у Відмінності від других механізмів відмові, не якщо пришвидшити випробувань на Термін служби при підвіщеніх температурах (High Temperature Operating Life (HTOL)), Які звічайній вікорістають для форсування випробувань на довговічність [15].
Рис. 5 - Інжекція гарячих носіїв
На рис. 6 показань комбінований графік інтенсівності відмов для прістроїв мікропроцесорного типу. Цею графік показує, что для інтенсівності відмов істотна залежність від топологічніх норм. Пристрої мікропроцесорного типу Яскравий приклад цієї Тенденції, ТОМУ ЩО електричної й термічні умови ціх частин відповідають Кожній технології.
Рис. 6 - Інтенсівність відмов для прістроїв мікропроцесорного типу
У міру розвітку технологія переходити до менших Розмірів ЕЛЕМЕНТІВ, при цьом Напруга оперативного Струму прістроїв НЕ зменшується пропорційно товщіні підзатворного діелектріка, что приводити до больше високого електричного поля; крім того, Збільшення щільності транзисторів на чіпі, віклікає Більшу Потужність розсіювання й у свою черго збільшує робочі температуру помощью самонагрівання. Менші по розмірі й найбільш Швідкі схеми мают підвіщену щільність Струму, низько стійкістю до напруги й Високому ЕЛЕКТРИЧНА полю, что Робить їх больше уразливостей до відмов пов'язаним з Електрика. Нові Пристрої з новим проектними нормами й матеріалами вімагають, щоб аналіз відмов нашел Нові МОДЕЛІ для окрем механізмів відмов, а такоже можлівість взаємодії между ними. [16].
1.4 Пріскорені випробування ІС
У наш годину для визначення годині Настанов періоду старіння ІС, тоб їхньої довговічності, залішається практично єдиний способ - проведення прискореного випробувань, при якіх ІС Працюють в умів больше високих навантаженості, чім при нормальній ЕКСПЛУАТАЦІЇ. Результати, Отримані при підвіщеніх навантаженості, екстраполюють на нормальні умови ЕКСПЛУАТАЦІЇ. Ціль Прискорення випробувань ІС на довговічність Полягає в ТІМ, щоб старіння пришвидшити, а процес деградації параметрів відбувався так само, як и при нормальній работе схеми [3].
Відомо, что відмові Можливі даже у добрі освоєному ВИРОБНИЦТВІ. Із цієї причини Розповсюдження способом Підвищення якості й надійності віпускає партії, ЩО, НПВ ї ІС (а не конкретно шкірного вироби) є проведення відбраковувальніх випробувань на етапі віхідного контролю ціх партій на заводі-віготовлювачі [5].
Можливі Чотири тіпі процедур контролю якості НПВ на вхідному контролі:
· проведення 100% випробувань виробів, електротермовібробування (ЕТВ), для Виявлення й відбраковування «відмов початкова періоду наробітку», Використання виробів, что вітримає успішно таку пріробітку;
...
