Враховуючи що V1 працює в режимі А, візьмемо
К01=N ImК1 (3)
З (1) отримуємо
К01=(4)
З (2) і (3) імеемК01=(5)
З (4) і (5) маємо=(6)
Згідно (6) отримаємо дві умови для вибору:
< == 90, N> == 4.
Відповідно до (6) чим менше N, тим більше R3, що збільшує Ku1, але менше IK0, яке зазвичай не доцільно брати менше 50 ... 100 мкА через зменшення h21е. Вибираємо N=10. З (6) отримуємо
== 3,26 кОм.
За ГОСТом R3=3 кОм.
Амплітуда струму колектора v1 згідно (2)
К1 == 28 мкА.
Струм колектора в точці спокою
К01=N ImК1=10.28.10-6=0,28 мА.
. Для транзистора КТ342Б перевіряємо можливість використання IК01: К01=0,28 мА < Iкmax=50 мА; IК01=0,28 мА> 10IКБ0=0,5 мА. При IК01=0,28 мА коефіцієнт передачі струму h21е? 280 [Л3, 4].
. Перевіряємо транзистор за граничним значенням напруги Е=17В
. Струм бази в точці спокою IБ01 === 1 мкА.
. Ток емітера в точці покояЕ0=IБ01 + IК01=1.10-6 +280.10-6=281 мкА
. Постійна напруга на резисторі R5 UR5=UКЕ03 - UБЕ03 - UКЕ01. Вибираємо напруга UКЕ01. Очевидно, що UКЕ01 повинно бути менше UКЕ03=9,32 В. Можна взяти значення UКЕ01, яке відповідає режиму вимірювання Cк [Л. 3], тобто UКЕ01=5 В. Звідси отримуємо UR5=9,32 - 0,58 - 5=3,74 В.
. Опір R5 === 13,3 кОм. За ГОСТом R5=13 кОм.
. За вхідним статичним характеристикам V1 [Л.3, 4] для струму бази 1 мкА знаходимо напруга база - емітер в точці спокою UБЕ0? 0,45 В.
. Напруга на резисторі R2 UR2=UБЕ01 + UR5 + UКЕ04=0,45 +3,74 +7,68=11,87 В.
. Вибираємо струм дільника IД=(5 ... 10) IБ01=5мкА.
. Опір R2 == 2,3 МОм. За ГОСТом R2=2,2 МОм.
. Напруга на резисторах R1 і Rф U=E-UR2=17-11,87=5,13 В.
. Опір R=R1 + Rф == 855 кОм.
. Вибираємо опору резисторів R1 і Rф за ГОСТом, причому бажано вибрати R1 якомога більшої значення:
=820 кОм Rф=36 кОм
. Опір дільника по змінному струмі
Д == 597кОм.
. Еквівалентнаопір джерела сигналу Rі.екв =? 1 кОм.
. Опір навантаження V1 по змінному струмі
н ~ == 232 Ом.
. Опір бази V1 rб == 38 Ом.
. Вхідний сопративление VI без ОС
ое=rб +? 25,1 кОм.
. Коефіцієнт посилення каскаду на VI без урахування місцевої ОС=2,6
Для розрахунку опору резистора R4 врахуємо наступні обставини. Через наявність R4 в підсилювачі і діє як місцева ООС в каскаді на VI, так і загальна ОС через резистори R5, R4. Місцева ОС збільшує вхідний опір VI і зменшує Кu1. Але ця обставина ускладнює методику розрахунку. Дійсно, при заданій наскрізний глибині ОС А * і вже відомому R5 вибирати дові...
