платі Різні Модулі НЕ можна. Основними характеристиками модулів оператівної пам »яті є: про« єм пам »яті та час доступу. SIMM-Модулі є про «ємом 4, 8, 16, 32 мегабайти; DIMM - Модулі - 16, 32, 64, 128, 256 Мбайт. Година доступу показує, Скільки годині звітність, для звертання до комірок пам »яті, чім менше, тім краще. Вімірюється у наносекундах. SIMM - Модулі - 50-70 нс, DIMM - Модулі - 7-10 нс.
ШВИДКІСТЬ передавання Даних у СУЧАСНИХ жорсткий диск колівається в діапазоні 30-60 Мбайт / с.
.2 Сучасні тіпі пам'яті DDR, DDR2, DDR3
- Робоча Напруга DDR - 2.5 вольт (зазвічай збільшується при розгоні процесора), и є найбільшім Споживачем електроенергії з 3 Видів пам «яті. - DDR3 розвіває ШВИДКІСТЬ больше чем DDR2, и таким чином найніжча ШВИДКІСТЬ така ж як и Найшвидший ШВИДКІСТЬ DDR2. DDR3 спожіває електроенергію менше других Видів оператівної пам »яті. DDR3 спожіває 1.5 вольт, и Трохи больше при розгоні процесора.
Таблиця 1: Технічні характеристики оператівної пам'яті
DDRDDR2DDR3Номінальная швідкість100-400400-800800-1600Електр. Напруга2.5v + / - 0.1V1.8V + / - 0.1V1.5V + / - 0.075VВнутр. Блоки448Terminationобмеженообмеженовсе DQ сігналиТопологіяTSOPTSOP or Fly-byFly-byУправління-OCD калібруванняСамокалібрування з ZQТермо сенсорНіНіТак (необов язково) оперативна пам «ять комп» ютер
Найважлівішою характеристики, від Якої покладів Продуктивність пам «яті, є ее Пропускна здатність, что віражається як добуток частоти сістемної шини на ОБСЯГИ Даних, надіс за один такт. Сучасна пам »ять має шину шириною 64 біта (або 8 байт), тому Пропускна здатність пам« яті типу DDR400, становіть 400 МГц х 8 Байт=3200 Мбайт на секунду (або 3.2 Гбайт / с). Звідсі, віпліває ї Інше позначення пам »яті такого типу - PC3200. Останнім годиною часто вікорістовується двоканальне Підключення пам'яті, при якому ее Пропускна спроможність (теоретична) подвоюється. Таким чином, у випадка з двома модулями DDR400 ми отрімаємо максимально можливіть ШВИДКІСТЬ обміну Даних 6.4 Гбайт / с.
Але на максимальну Продуктивність пам «яті такоже впліває Такі ВАЖЛИВО Параметри як« таймінгі пам »яті».
Відомо, что логічна структура банку пам «яті представляет собою двовімірній масив - найпростішу матрицю, КОЖЕН осередок Якої має свою адресою, номер рядка та номер стовпчік. Щоб рахувати вміст довільній осередку масиву, контролер пам »яті винен Задати номер рядка RAS (Row Adress Strobe) i номер стовпчік CAS (Column Adress Strobe), з якіх и зчітуються дані. Зрозуміло, что между подачі команди и ее Виконання всегда буде якась затримки (латентність пам'яті), вісь ее-то и характеризують ЦІ Самі таймінгі. Існує безліч різніх параметрів, Які візначають таймінгі, альо найчастіше Використовують Чотири з них:
· CAS Latency (CAS) - затримки в тактах между подачі сигналів CAS и безпосередно Видача Даних з відповідної коміркі. Одна з найважлівішіх характеристик будь-якого модуля пам'яті;
· RAS to CAS Delay (tRCD) - кількість тактів шини пам'яті, Які повінні пройти после подачі сигналу RAS до того, як можна буде податі сигнал CAS;
· Row Precharge (tRP) - година Закриття сторінки пам'яті в межах одного банку, что вітрачають на его перезарядку;
· Activate to P...
