Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Фізико-технологічні основи металізації інтегральніх схем

Реферат Фізико-технологічні основи металізації інтегральніх схем





на рис 3.3. Головна его особлівість в порівнянні з методом катодного напилення Полягає в тому, что в проміжку между електродом 9 - мішенню (з нанесенням на неї напілюванім матеріалом) i підкладкою 4 Діє незалежний, "Черговий" газовий розряд. Розряд має місце между електрода 6 і 7, причому тип розряду - несамостійній дугових. Для цього типу розряду характерні: наявність СПЕЦІАЛЬНОГО джерела електронів у вігляді розжарювання катода (6), низька робоча Напруга (десятки вольт) i велика щільність електронно-іонної плазми. Простір підковпака, як и при катодному напіленні, заповненості нейтральним газом, альо при нижчих Тиску (10 -3 - 10 -4 мм рт. ст.). [3]

Процес напилення Полягає в Наступний. На мішень Щодо плазми (практично - Щодо заземленням анода 7) подається від'ємній Потенціал (2-3кВ), достатній для Виникнення аномального тліючого розряду и інтенсівного бомбардування позитивними іонамі плазми. Атомі мішені потрапляють на підкладку и осідають на ній. Таким чином, принципова відмінностей между процесами катодного и іонно-плазмового напилення немає. Розрізняють позбав конструкції установок: їх назівають відповідно 2-х і 3-х Електродний. [3]

Качан и Кінець процеса напилення візначаються подачею и відключенням напруги на мішені. Если Передбачити механічну заслінку, те ее наявність дозволяє реалізуваті ВАЖЛИВО Додатковий можлівість: Якщо до качану напилення закрити заслінку и податі Потенціал на мішень, то матіме місце іонне Очищення мішені. Воно корисне для Підвищення якості напілюваної плівкі. Аналогічне очищення можна Проводити на підкладці, подаючись на неї (до напилення плівкі) негативний Потенціал. [3]

При напіленні діелектрічніх плівок вінікає трудність, пов'язана з накопиченням на мішені позитивного заряду, что перешкоджає подалі іонному бомбардуванню. Це долається Шляхом Використання так званого високочастотні іонно-плазмового напилення. У цьом випадка на мішень на ряду з постійною негативною напругою подається змінна Напруга вісокої частоти (близьким 15 МГц) з амплітудою, что перевіщує постійну напругу. Тоді под годину більшої Частини процеса результуюча Напруга негативна; при цьом відбувається звичайний процес розпилюваного мішені и на ній накопічується позитивний заряд. Прото во время невелікої Частини процеса результуюча Напруга позитивна; при цьом мішень бомбардується Електрон, тоб розпилюваного НЕ відбувається, та потім на внутрішню компенсується Накопичення позитивний заряд. [3]

Варіант реактивного (хімічного) іонно-плазмового напилення відкріває ті ж возможности Отримання оксидів, нітріду и других з'єднань, что и реактивністю катодних напилення. [3]

ПЕРЕВАГА іонно-плазмового методу в порівнянні з катодних полягають у більшій Швидкості напилення и більшій гнучкості процеса (можлівість іонного очищення, можлівість Відключення РОБОЧЕГО ланцюга без переривані розряду и ін.). Крім того, на якості плівок позначається вищий вакуум. [3]


3.4 Анодування

Один з варіантів хімічного іонно-плазмового напилення назівають анодуванням. Цею процес Полягає в окісленні поверхні металевої плівкі (что находится под позитивним потенціалом) негативними іонамі кисни, что поступають з плазми газового розряду. Для цього до інертного газу (як и при чисто хімічному напіленні) слід Додати Кисень. Тому, що анодування здійснюється не нейтральні атомами, а іонамі. [1]

Хімічне напилення и анодування проходять спільно, оскількі в газорозрядній плазмі (ЯКЩО вона містіть Кисень) співіснують нейтральні атоми и іоні кисни. Для того, щоб анодування переважало над чисто хімічнім напилення, підкладку розташовують лицем (тоб МЕТАЛЕВИЙ плівкою) убік, протилежних катода, щоб на неї не потрапляли нейтральні атоми.

У міру наростания окисного шару струм в анодному ланцюзі падає, оскількі оксид є діелектріком. Для ПІДТРИМКИ Струму нужно підвіщуваті жівлячу напругу. Оскількі частина цієї напруги падає на плівці, процес анодування протікає в умів Великої напруженості поля в окісній плівці. У результаті и надалі вона володіє підвіщеною ЕЛЕКТРИЧНА міцністю. [1]

До других ПЕРЕВАГА анодування відносяться велика ШВИДКІСТЬ окислених и можлівість управління процесом Шляхом Зміни Струму в ланцюзі розряду. Якість оксидного плівок, что отримуються данім методом, Вище, чем при вікорістанні других методів. [1]


3.5 Електрохімічне осадженим

цею метод Отримання плівок відрізняється від попередніх тим, что робочим СЕРЕДОВИЩА є Рідина. Прото характер процесів схожий з іонно-плазмових напилення, оскількі и плазма и електроліт є квазінейтральною сумішшю іонів и неіонізованіх молекул або атомів. А головне, осадженим відбувається такоже поступово (пошарово) як и напилення, тоб Забезпечує можлівість Отримання тонких плівок. [2]

Електрохімічне осадженим Історично розвинулася однозначно раніше за Другие розглянуті методи - ще в XIX столітті. Вже десятки років назад в...


Назад | сторінка 6 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Антикорозійний захист медичних виробів з використанням технологій плазмовог ...
  • Реферат на тему: Магнетронного напилення
  • Реферат на тему: Вакуумне напилення
  • Реферат на тему: Автоматизований електропривод механізму маніпулятора установки напилення мі ...
  • Реферат на тему: Оптимізація процесу напилення матеріалу в магнетронній системі розпилення