ння (4.7) при отримуємо. Цей струм складає десятки або сотні мікроампер і значно перевершує початковий струм колектора. Тік, та, знаючи, що, неважко знайти. А так як, то
(4.9)
Значний струм пояснюється тим, що деяка невелика частина напруги прикладена до емітерного переходу в якості прямої напруги. Внаслідок цього зростає струм емітера, а він у даному випадку і є наскрізним струмом.
При значному підвищенні напруги, струм різко зростає і відбувається електричний пробій. Слід зазначити, що якщо, не дуже мало, при обриві ланцюга бази іноді в транзисторі може спостерігатися швидке, лавиноподібне збільшення струму, що приводить до перегріву і виходу транзистора з ладу (якщо в ланцюзі колектора немає резистора, що обмежує зростання струму). У цьому випадку відбувається наступний процес: частина напруги, діюча на емітерний перехід, збільшує струм, і рівний йому струм, на колекторний перехід надходить більше носіїв, його опір і напруга на ньому зменшуються і за рахунок цього зростає напруга на емітерний перехід, що призводить до ще більшого збільшення струму, і т. д. Щоб цього не сталося, при експлуатації транзисторів забороняється розривати ланцюг бази, якщо не вимкнено живлення ланцюга колектора. Треба також спочатку включити харчування ланцюзі бази, а потім ланцюга колектора, але не навпаки.
Якщо треба виміряти струм, то в ланцюг колектора обов'язково включають обмежувальний резистор і проводять вимірювання при розриві дроту бази.
В
3. Статичні характеристики біполярного транзистора.
Схема з загальною базою
У Залежно від того, який електрод транзистора є загальним для вхідного і вихідного сигналів, розрізняють три схеми включення транкзістора: загальною базою (ПРО) з загальним емітером (ОЕ) і з загальним колектором (ОК). <В
r ЕО r ко
r Бо
В В
E 1 E 2
Рис. 5
Вхідні характеристики транзисторів у схемі із загальною базою при визначаються залежністю (5):
(5)
При великому зворотному напрузі колектора () струм мало залежить від колекторного напруги. На рис. 5-1, а показані реальні вхідні характеристики кремінного транзистора. Вони відповідають теоретичної залежності (5.1), підтверджується і висновок про слабкий вплив колекторного напруги на струм емітера.
В
Рис 5-1
Вхідна статична характеристика при U КБ = 0 (нульова) подібна звичайній характеристиці напівпровідникового діода, включеного в прямому напрямку. При подачі від'ємного колекторного напруги вхідна характеристика зміщується вліво. Це свідчить про наявності в транзис-лихо внутрішнього зворотного зв'язку. Зворотний зв'язок виникає в основному через опору бази. У схемі з ПРО опір бази є загальним для вхідний і ви Ходна ланцюгів.
При подачі або збільшенні колекторного напруги з'являється або збільшується I КБo . Крім цього зменшується Iе.рек, тому що при збільшенні колекторного напруги відбувається розширення колекторного переходу і ширина бази зменшується. Тому напруга Uеб, прикладена до емітером, при збільшенні Uкб зростає, що й пояснює збільшення струму емітера і зсув вліво вхідний статичної характеристики транзистора, включеного за схемою з загальною базою.
Вихідні, або колекторні, статичні характеристики являють собою залежності Ik = f (Uкб) при Iе = const. Попри те, що напруга на колекторі для транзистора pn-р негативно, характеристики для зручності прийнято зображати у позитивних осях координат. Ну-ліва вихідна характеристика (I Е = 0) є звичайною характеристикою діода, включеного в зворотному напрямку. Збільшення струму емітера веде до зсуву вихідної характеристики. p> Як відомо, при появі струму емітера струм колектора збільшується на величину I K = О±Iе ~ Iе. Струм I K можна розглядати як штучно створений додатковий струм неосновних носіїв колекторного переходу.
Тому на підставі формули (5.1), де I 0 = Ik, можна стверджувати, що будь-яка вихідна характеристика транзистора з (ПРО) являє собою ВАХ напівпровідникового діода, зміщену по осі зворотного струму на величину Ік.
(5.1)
Початкова область вхідних характеристик, побудована відповідно з теоретичної залежністю (5.1), показана на рис. (5-1 а) великим масштабом (В окружності). Відзначені струми I 11 і I 12 , а також емітерний струм закритого транзистора.
Вхідні характеристики кремнієвого транзистора показані на pіc. 5-1, б. Вони зміщені від нуля в бік прямих напруг; як і у кремнієвого діода, зсув дорівнює 0,6-0,7 В. По відношенню до вхідних характеристикам германиевого транзистора зміщення становить 0,4 В.
Вихідні характеристики.
Теоретичні вихідні характеристики транзистора в схемі із з...
