агальною базою при I Е = const визначаються залежністю (5.2):
(5.2)
Вони представлені на рис. 5-2, а. Вправо по горизонтальній осі прийнято відкладати робоче, тобто зворотне, напруга колектора (негативне для транзисторів типу р- n-р і позитивне для транзисторів типу n-р- n ). Значення викликаного при цьому струму колектора відкладають по вертикальній осі вгору. Такий вибір осей координат вигідний тим, що область характеристик, відповідна робочим режимам, розташовується при цьому в першому квадраті, що зручно для розрахунків.
Якщо струм емітера дорівнює нулю, то залежність являє собою характеристику електронно-діркового переходу: в ланцюзі колектора протікає слабкий власний зворотний струм I Ко . p> При прямому напрузі колектора струм змінює напрямок і різко зростає - відкривається колекторний перехід (з метою наочності на рис. 5-2 для позитивних напруг узятий крупніший масштаб). <В
Рис 5-2
Якщо ж у ланцюзі емітера створений деякий струм I е , то вже при нульовому напрузі колектора в його ланцюзі відповідно протікає струм I до = I ' е обумовлений інжекцією дірок з емітера. Оскільки цей струм викликається градієнтом концентрації дірок в базі, для його підтримки колекторного напруги не потрібно. Рис 5-3
При подачі на колектор зворотного напруги струм його кілька зростає за рахунок появи власного струму колекторного переходу I КБ0 і деякого збільшення коефіцієнта переносу v, викликаного зменшенням товщини бази.
При подачі на колектор прямої напруги з'являється прямий струм колекторного переходу. Так як він тече назустріч току інжекції I е , то результуючий струм в ланцюзі колектора з ростом прямої напруги до величини U K 0 швидко зменшується до нуля, потім при подальшому підвищенні прямого напруги колектора набуває зворотний напрямок і починає швидко зростати.
Якщо збільшити струм емітера до значення, то характеристика зміститься пропорційно вгору на величину
На рис. 5-2, б представлені реальні вихідні характеристики транзистора КТ3107, вони мають такий же вигляд, як і теоретичні, з урахуванням поправок. p> Коефіцієнт передачі струму емітера. Як показує досвід, коефіцієнт передачі струму залежить від величини струму емітера (Рис. 5 -)
З ростом струму емітера збільшується напруженість внутрішнього поля бази, рух дірок на колектор стає більш спрямованим, в результаті зменшуються рекомбінаційні втрати на поверхні бази, зростає коефіцієнт переносу, а отже, і. При Надалі збільшенні струму емітера знижується коефіцієнт інжекції і ростуть втрати на об'ємну рекомбінацію, тому коефіцієнт передачі струму починає зменшуватися.
В цілому залежність коефіцієнта передачі струму від струму емітера в малопотужних транзисторах незначна, у чому можна переконатися, звернувши увагу на масштаб по вертикальній осі рис. (5-3). p> У транзисторах, що працюють при високій щільності струму, спостерігається значне падіння напруги уздовж бази, обумовлене струмом бази; в результаті напруга в точках емітерного переходу, віддалених від виведення бази, виявляється помітно меншим, ніж в довколишніх. Тому емітерний струм концентрується по периметру емітера ближче до висновку бази, ефективна площа емітера виходить менше, ніж при рівномірній інжекції, і коефіцієнт швидко падає із зростанням струму емітера.
Для ослаблення зазначеного явища застосовують електроди, що мають високу відношення довжини периметра до площі: кільцеві і гребенчатие.
Схема із загальним емітером
Раніше були розглянуті статичні характеристики транзистора, включеного за схемою із загальною базою, коли загальна точка вхідний і вихідний ланцюгів знаходиться на базовому електроді. Інший поширеною-ненной схемою включення транзистора є схема із загальним емітером, в якій загальна точка вхідний і вихідний ланцюгів з'єднана (рис. 5-4).
Вхідним напругою у схемі із загальним емітером є напруга бази вимірюється щодо емітерного електрода. Для того щоб емітерний перехід був відкритий, напруга бази має бути негативним (розглядається транзистор типу р- n-р ). p> Вихідним напругою у схемі із загальним емітером є напруга колектора вимірюється щодо емітерного електрода. Для того щоб колекторний перехід був закритий, напруга колектора має бути великим за величиною, ніж пряме напруга бази.
Зазначимо, що в схемі з загальним емітером в робочому режимі, коли транзистор відкритий, полярність джерел живлення бази та колектора однакова. <В В
r Бо r ко
r ЕО
В В
E 1 E 2
Рис. 5-4
Вхідні характеристики. <...
