ництво.
-Механічне виробництво: радіатори, трубопроводи, штуцери, пружини, вали, втулки, осі, шестерні, болти, гайки, гумотехнічні вироби, інструмент.
Принципи технології
На вхід технології надходять пластини, званими підкладками. Склад матеріалу підкладок, кристалічна структура (аж до міжатомних відстаней в підкладках для сучасних процесорів) і кристалографічна орієнтація суворо контролюються. У ході технологічного процесу в приповерхневому шарі напівпровідникового матеріалу, що є підкладкою або нанесеного на підкладку, створюють області з різним типом або величиною провідності, обумовленої в кінцевому рахунку різною концентрацією донорних і акцепторних домішок, а також матеріалом шару. Поверх шару напівпровідникового матеріалу, з використанням в потрібних місцях прошарків діелектричного матеріалу, наносяться шари проводить матеріалу, що утворює контактні площадки і необхідні з'єднання між областями. Області і шари провідника, напівпровідника і діелектрика в сукупності утворюють структуру напівпровідникового приладу або інтегральної мікросхеми.
Особливість планарною технології полягає в тому, щоб після завершення кожної технологічної операції відновлюється плоска (планарная) форма поверхні пластини, що дозволяє створювати досить складну структуру, використовуючи кінцевий набір технологічних операцій.
Планарная технологія забезпечує можливість одночасного виготовлення в єдиному технологічному процесі величезного числа дискретних напівпровідникових приладів або інтегральних мікросхем на одній підкладці, що дозволяє істотно знизити їх вартість. Також у разі виготовлення на одній пластині ідентичних приладів параметри всіх приладів виявляються близькими. Обмежувачем є тільки площа підкладки, тому діаметр підкладок у міру розвитку технологій виробництва підкладок прагнуть збільшувати.
Для контролю якості виконання проміжних операцій на підкладці, як правило, виділяють декілька малих областей (зазвичай в центрі і на периферії), на яких в ході штатного технологічного процесу формуються тестові провідні доріжки і елементарні прилади (конденсатори, діоди, транзистори і т.п.). У цих же областях формують контактні площадки відносно великої площі для тестування придатності пластин перед скрабування (поділом на окремі прилади). Для суміщення зображень при фотолітографії також у спеціально виділеної області формуються знаки суміщення, подібні тим, які можна зустріти на багатобарвної друкарської продукції.
Основні технологічні операції (літографія)
Основні технологічні операції, використовувані в планарної технології, засновані на процесі літографії: використовуються електронна літографія, іонна літографія, що можуть бути сканірующмі і проекційними; фотолітографії здатна бути оптичної (стандартна О» = 310-450нм або в глибокому ультрафіолеті О» = 200-300нм) і рентгенівської (О» = 0,1-10Нм), які, у свою чергу, можуть бути контактними, безконтактними, на мікр...
