Td>
Тип моделі: 1 - SPICE2G, 2 - PSpice
1 /Td>
-
IS
Ток насичення при температурі 27 В° С
10 -1 4 /Td>
А /Td>
RS
Об'ємне опір
0 /Td>
Ом /Td>
N
Коефіцієнт емісії (неідеальності)
1 /Td>
- /Td>
ISR
Параметр струму рекомбінації
0 /Td>
А /Td>
NR
Коефіцієнт емісії (неідеальності) для струму ISR
2 /Td>
IKF
Граничний струм при високому рівні інжекції
ВҐ
А /Td>
TT
Час переносу заряду
0 /Td>
з /Td>
CJO
Бар'єрна ємність при нульовому зміщенні
0 /Td>
Ф /Td>
V J
Контактна різниця потенціалів
1 /Td>
У /Td>
M
Коефіцієнт плавності p-n переходу (1/2-для різкого, 1/3 - плавного)
0,5 /Td>
- /Td>
EG
Ширина забороненої зони
1,11 /Td>
еВ /Td>
FC
Коефіцієнт нелінійності бар'єрної ємності прямосмещенного переходу
0,5 /Td>
-
BV
Зворотне напруга пробою (позитивна величина)
ВҐ
У /Td>
IBV
Початковий струм пробою, відповідний напрузі BV (позитивна величина)
10 -10 /Td>
А /Td>
NBV
Коефіцієнт неідеальності на ділянці пробою
1 /Td>
-
IBVL
Початковий струм пробою низького рівня
0 /Td>
А /Td>
NBVL
Коефіцієнт неідеальності на ділянці пробою низького рівня
1 /Td>
-
В
Таблиця 6. Параметри моделі діода (закінчення)
XTI
Температурний коефіцієнт струму насичення IS
3 /Td>
-
TIKF
Лінійний температурний коефіцієнт IKF
0 /Td>
В° C -1 /Td>
TBV1
Лінійний температурний коефіцієнт BV
0 /Td>
В° C -1
TBV2
Квадратичний температурний коефіцієнт BV
0 /Td>
В° C -1
TRS1
Лінійний температурний коефіцієнт RS
0 /Td>
В° C -1
TRS2
Квадратичний температурний коефіцієнт RS
0 /Td>
В° C -
