Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розробка конструкторської документації на виріб "USB-термометр"

Реферат Розробка конструкторської документації на виріб "USB-термометр"





вная мікрозбірка і показана методика елементарного розрахунку.

Розглянемо деякі конструктивно-технологічні варіанти микросборок і перспективи підвищення їх інтеграції, а також особливості застосування резистивних матеріалів у виробництві тонкоплівкових микросборок. Показано, що найбільшу інтеграцію, максимальний тепловідвід і низьку собівартість виготовлення мікроелектронної апаратури можна отримати шляхом застосування микросборок з підкладкою з кремнію. Для істотного зменшення площі тонкоплівкових резисторів слід використовувати резистивні матеріали з ро = 5 ... 10 кому/КВАДРАТ. Разом з тим зменшення норм проектування топологічних розмірів резисторів до 50 мкм і менш дозволяє використовувати в якості резистивного матеріалу адегізонний подслой хрому з величиною ро = 250 ... 500 Ом/КВАДРАТ. При цьому площа резистора зростає незначно, а собівартість виготовлення мікроскладення може ивать тонкоплівкові резистори (ТПР) на кремнієвих підкладках. На кремнієві або полікоровие плати можлива установка як безкорпусних кристалів, так і компонентів у міні-корпусах, призначених для поверхневого монтажу. Як випливає з проведеного аналізу, площа кремнієвої плати може бути в 6-15 разів менше друкованої плати, що значно скорочує розрив у собівартості їх виготовлення. Крім того, в галузях, де пріоритетом є мінімізація масогабаритних характеристик, переваги кремнієвої плати з безкорпусними кристалами безперечні. br/>

.1. Електричний розрахунок резистивної мікроскладення


В 

Рис. 3. Опір


Розрахуємо загальну потужність всіх резисторів:


Р = 4 * 0,125 = 0, 5 Вт (1)

Робщ. = 0,5 +0,5 = 0,25 Вт


Розрахуємо опір всіх резисторів:

Rобщ. = 10 +10 +10 +1 = 31 кОм


ЕлементІсходние значеніяРасчетние значеніяlммbмм мВтq = r = , R1-R62, 210,1251,250,60,750,35 0,30,03

r 1-4 = 1/2 * 0,8 = 0,62, (2)

? 1-4 = 1,25 * 0,6 = 0,75 (3)

(4)


де - товщина підкладки і клею h = 1,5 мм

-коефіцієнт теплопровідності клею і матеріалу підкладки

b, l-розміри контакту тепловиділяючого елемента з підкладкою.


В 

(6)

(7)


де, Ре - розсіює потужність,

В 

(8)


де - внутрішній перегрів np-переходу;

- внутрішнє тепловий опір 220.

Нормальний тепловий режим елементів і навісних компонентів забезпечується при виконанні умов:


(9)

(10)

,

В В 

Т


Назад | сторінка 6 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Технологія виготовлення дифузійних резисторів на основі кремнію
  • Реферат на тему: Розробка та оформлення конструкторської документації друкованої плати
  • Реферат на тему: Обгрунтування технологічного процесу виготовлення друкованої плати
  • Реферат на тему: Проектні процедури розробки друкованої плати та технологія її виготовлення ...
  • Реферат на тему: Організація ділянки складального цеху з виготовлення друкованої плати прист ...