сигналу. На входах підсилювача можуть бути використані аналогові nМДП - ключі через низький вхідного синфазного рівня. В якості ключів, які діскретізіруется вхідний сигнал і опорний сигнал зворотного зв'язку, використовуються КМДП - ключі у зв'язку з великим розмахом сигналу. p align="justify"> Низька розсіює потужність була отримана шляхом розробки модулятора з обмеженим тепловим шумом і високим вхідним рівнем перевантаження щодо опорних напруг зворотного зв'язку, які з'єднані з аналоговим харчуванням і землею.
телекомунікаційний конденсатор цифрова корекція
Список використаної літератури
1. Баринов В.В., Круглов Ю.В., Тимошенко О.Г. Телекомунікаційні системи на кристалі: Ч. 1. Основи схемотехніки КМДП аналогових ІМС: Уч. посібник/За ред. В.В. Баринова. - М.: МІЕТ, 2007. - 236 с. p>. Баринов В.В., Круглов Ю.В. Телекомунікаційні системи на кристалі: Ч. 2. Проектування АЦП і ЦАП для систем цифрового зв'язку: Уч. посібник/За ред. В.В. Баринова. - М.: МІЕТ, 2008. - 164 с. p>. Allen P.E., Holberg D.R. CMOS Analog Circuit Design. Oxford: Univer sity Press, 2002. br/>
Додаток
Табл.2 - Значення параметрів МДП - транзисторів з мінімальною довжиною затвора L = 0,35
Ім'я параметра ПАРАМЕТРРазмер-ностьЗНАЧЕНІЕ ПАРАМЕТРАN-МОПТР-МОПТVTOПороговое напруга при нульовому зміщенні подложкіV4e-014e-01TOXТолщіна подзатворного окіслаM7, 4e-097, 4e-09NSUBКонцентрація домішки в подложке1/sm32e +172,8 e +17 UOПодвіжность носіїв у інверсному шарі каналаsm2/v * s4e +021 e +02 LDДліна області перекриття затвором дифузійної області витоку або стокаM3, 15e-083, 318836e-08WDВелічіна зменшення ширини каналу за бокової дифузії під затвор охоронного дифузійного слояM4, 572104e-094, 931593e-08LAMBDAПараметр модуляції довжини канала1/V0, 120,12 CGSOУдельная ємність затвор - витік на одиницю ширини каналу в відсутність інверсійного слояF/M1, 04294e-101, 04294e-10CGDOУдельная ємність затвор - стік на одиницю ширини каналу в відсутність інверсійного слояF/M1, 04294e-101, 04294e- 10CGBOУдельная ємність затвор - підкладка на одиницю довжини затвора над областями бічній дифузії під затвор охоронного дифузійного слояF/M1, 0E-111, 6e-11CJУдельная ємність донної частини p - n переходу стік (витік) - підкладка на одиницю площі при нульовому смещенііF/M28, 86e-041, 27E-03CJSWУдельная ємність бічній поверхні p - n переходу стік (витік) - підкладка на одиницю довжини периметра при нульовому смещенііF/M2, 65E-102, 55e-10MJКоеффіціент, що враховує плавність переходу стік (витік) - підкладка-0, 3690,442 MJSWКоеффіціент, що враховує плавність переходу периметра сток (витік) - підкладка-0, 3560,373 PBНапряженіе інверсії приповерхневого шару подложкіV0, 9040,908 PBSWНапряженіе інверсії над областями бічній дифузії охоронного дифузійного слояV0, 8940,899
